本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括衬底以及沿厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层...

本发明公开了一种石墨承载盘烘烤装置，包括外壳、矩形管、加热器，外壳的前端部上开设有用于向矩形管内充入反应气的第一进气通道、用于向外壳内腔中充入保护气的第二进气通道，外壳的后端部上开设有与外壳内腔气流相通的排气通道，矩形管的前、后两端部上...

本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片包括衬底以及沿其厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层...

本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片包括衬底以及沿其厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nG...

本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，外延片还包括覆盖在轻掺杂nGaN层的背离重掺杂nGaN层一侧的...

本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，其制成的二极管的晶体质量好，使用寿命长，反向击穿电压高、漏电低。该外延片的制作方法，依次包括如下步骤：A、将AlN盖层通过磁控溅射技术在蓝宝石平片上沉积制得衬底；B、将衬底放入MOCVD...

本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN...

本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN...

本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是...

本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法，该方法包括如下步骤：1）提供一衬底；2）在衬底上依次生长N+氮化镓层、N‑氮化镓层；3）将N‑氮化镓层所在的部分台面蚀刻至暴露出N+氮化镓层，并形成若干个直径为50~200μm的N‑氮化镓...

本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，由其制成的二极管电子器件漏电较低、击穿电压较高、寿命较长。一种肖特基二极管用外延片，包括：图形化蓝宝石衬底；AlN成核层，通过磁控溅射技术沉积于所述图形化蓝宝石衬底的上表面；GaN缓冲层，...

本发明提供一种三级管用外延片及其制备方法，由其制成的三极管电子器件漏电更低、击穿电压更高、寿命更长。一种三级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、InAlN本征层、GaN盖层，所述衬底为图形化蓝宝石衬...

本发明提供一种二级管用外延片及其制备方法，由其制成的二极管电子器件漏电更低、击穿电压更高、寿命更长。一种二级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、AlGaN层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述衬底为图形化蓝...

本发明提供一种HEMT外延结构及其制备方法，HEMT外延结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂或掺杂高阻层、非掺杂高迁移率层及GaN/AlN超晶格栅极层，所述GaN/AlN超晶格栅极层的周期为4~15。所述GaN/AlN超晶格栅极层的...

本发明提供一种GaN薄膜材料及其制备方法，由其制成的电子器件漏电较低、击穿电压较高、寿命较长。一种GaN薄膜材料，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述GaN成核层为C掺杂的GaN成核层，所述G...

本发明提供一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：衬底；外延层，其形成于衬底的上表面上，外延层的上部蚀刻形成有多组上凸的外延台阶，多组外延台阶沿径向间隔排列；第一金属层，沿径向间隔排列且与外延台阶交错排列；第二金属层，其包括多组连接部和两...

本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，该外延片位错少、晶体质量更好。该肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，所述成核层为多层且依次层叠。所述成核层的层数为2~6层。所述成核层均为GaN层或AlN层。所述外延片还包括非掺...

本发明提供一种三级管用外延片及其制备方法，其制成的三极管电子器件漏电更低、击穿电压更高、寿命更长。一种三级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN本征层、GaN盖层，所述衬底为图...

本发明提供一种二极管用外延片及其制备方法，由其制成的二极管电子器件漏电较低、击穿电压较高、寿命较长。一种二极管用外延片的制备方法，依次包括如下步骤：A、将图形化蓝宝石衬底放入MOCVD设备中加热升温至1020~1200℃，在H2中高温净...

本发明提供一种氮化镓二极管及其制备方法，该氮化镓二极管增加了阳极金属层与N型氮化镓层等半导体之间的肖特基势垒高度，从而降低金属-半导体之间的漏电流。该氮化镓二极管，包括：衬底；N型氮化镓层，其形成于所述衬底的上表面上；P型氮化镓层，其形...