本申请提供一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件。所述方法包括：在预选定的衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、势垒层；在所述势垒层上沉积形成钝化层；对所述钝化层和所述势垒层的一部分进行刻蚀，形成凹槽；在所述凹槽中再生长p...

本申请提供一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p...

本申请提供一种肖特基二极管组件。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施...

本申请提供一种常关型氮化镓HEMT器件及其制造方法，所述器件包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，第二半导体层形成在第一半导体层上，第一半导体层与第二半...

本申请提供一种常闭型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，...

本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申...

本申请提供一种肖特基极结构、肖特基二极管，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。利用本申请各实施例所述的肖特基极结构，可以有效提...

本实用新型涉及一种用于高温腐蚀性气体的扩散炉，包括石英管体、连接在所述的石英管体上的不锈钢水套以及连接在所述的不锈钢水套上的不锈钢炉门，所述的不锈钢水套的内周面上、所述的不锈钢炉门的内侧面上均涂覆有耐高温腐蚀层。本实用新型通过设置耐高温...

本发明涉及一种提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，包括在衬底上表面以第一温度生长低温缓冲层，第一温度上升至第二温度生长高温缓冲层，在第一温度上升至第二温度的过程中持续通入缓冲层原料。本发明通过在缓冲层的升温过程中持续计入缓冲层原料...

本申请提供一种肖特基极结构，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。利用本申请各实施例所述的肖特基极结构，可以有效提高二极管的反向...

本发明提供一种氮化镓二极管的制备方法和氮化镓三极管的制备方法。本发明提供的氮化镓二极管和氮化镓三极管的制备方法是通过在对钝化层进行刻蚀的过程中保留不合格岛对应位置的钝化层，使合格岛上方的钝化层窗口打开，而不合格岛上方的钝化层窗口保持封闭...

本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区...

本发明涉及一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法，包括在衬底上形成绝缘层，涂覆负性光刻胶进行光刻显影，形成第一栅/源/漏极区；对第一栅/源/漏极区底部绝缘层进行蚀刻形成栅极/源极/漏极沟槽；涂覆正性光刻胶进行光刻显影，在栅极...

本实用新型涉及一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件，包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层，所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道，所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。本实用新型在（...

本实用新型涉及一种具有沟道式硅衬底的HEMT器件，包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层，所述的硅衬底通过至少一条沟道分成多个相互独立的硅衬底块，所述的沟道形成对所述的硅衬底上导电通道的隔断。本实用新型通过沟道对硅衬底形成隔断，在...

本发明涉及一种氮化镓肖特基二极管，包括衬底、N+氮化镓层、N‑氮化镓层台面、蚀刻有凹槽的P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有作为阳极的肖特基金属层，N+氮化镓层上形成有作为阴极的欧姆金属层。其制作方法包括在衬底上表面依次生长N+氮化镓层、...

本发明涉及一种半导体生长工艺，包括在硅衬底上生长氮化层，选择大于标准厚度的硅衬底进行氮化层的生长，对生长完氮化层的硅衬底减薄至标准厚度。本发明采用大于标准厚度的硅片用于氮化镓材料的生长，生长过程中会形成较小的翘曲（<200 km

本发明涉及一种氮化镓功率三极管的制作方法，包括：在衬底上表面生长氮化镓层、铝镓氮层，对铝镓氮层、部分氮化镓层进行蚀刻分隔成多个岛；沉淀第一、第二金属层，第一金属层形成多个第一、第二电极单元，第二金属层形成第三电极单元，第一电极单元的第一...

本实用新型公开了一种石墨承载盘烘烤装置，包括外壳、矩形管、加热器，外壳的前端部上开设有用于向矩形管内充入反应气的第一进气通道、用于向外壳内腔中充入保护气的第二进气通道，外壳的后端部上开设有与外壳内腔气流相通的排气通道，矩形管的前、后两端...

本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nG...