The invention relates to a power converter in the plane of the gate self aligned source and drain, including the substrate coated with negative photoresist for negative photoresist lithography, forming a gate / source / drain region; the negative photoresist, gate / source / drain region is formed in the first the metal layer; the first metal layer is coated on the positive photoresist on the positive photoresist lithography, positive photoresist filling the first metal layer is formed on both sides of the gate area, the first metal layer is removed; exposure; in the negative / positive photoresist filling, source / drain region formed in second the metal layer is removed; in a negative / positive second metal layer photoresist filling on the removal of coated negative / positive photoresist filling, gate region first metal layer as the gate metal layer, a source electrode, a drain in the second metal layer is a metal layer and the source drain metal layer. The invention eliminates the misalignment between the gate and the source / drain, improves the machining margin of the small geometry device, and improves the output of the large diameter wafer device.
【技术实现步骤摘要】
一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法
本专利技术涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法。
技术介绍
在平面功率转换器件中,栅极用于肖特基接触或金属绝缘体半导体MIS接触,源极和漏极则用于欧姆接触,在器件中栅极、源极和漏极都形成在固定的位置,即栅极和源极、漏极之间需要形成对准,现有方法在形成栅极、源极和漏极时使用需要与源极/漏极掩模版进行对准单独的栅极掩模版,然而,根据照相工具的能力,这种常规方法将总是导致栅极和源极/漏极之间的不对准,或达不到对准的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法,包括步骤:(1)、在衬底上涂覆负性光刻胶,通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影,在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区;(2)、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层;(3)、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶,通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影,在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充;(4)、去除(2)中形成并暴露的第一金属层;(5)、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层;(6)、去除(5)中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层,去除涂覆的所述负性光刻胶、正性光刻胶填充,所述栅极区内所述第一金属层为栅极金属层,所述源极、漏极内所述第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。优 ...
【技术保护点】
一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法,其特征在于:包括步骤:(1)、在衬底上涂覆负性光刻胶,通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影,在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区;(2)、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层;(3)、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶,通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影,在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充;(4)、去除(2)中形成并暴露的第一金属层;(5)、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层;(6)、去除(5)中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层,去除涂覆的所述负性光刻胶、正性光刻胶填充,所述栅极区内所述第一金属层为栅极金属层,所述源极、漏极内所述第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。
【技术特征摘要】
1.一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法,其特征在于:包括步骤:(1)、在衬底上涂覆负性光刻胶,通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影,在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区;(2)、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层;(3)、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶,通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影,在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充;(4)、去除(2)中形成并暴露的第一金属层;(5)、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层;(6)、去除(5)中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层,去除涂覆...
【专利技术属性】
技术研发人员:李亦衡,朱廷刚,朱友华,张葶葶,王强,
申请(专利权)人:江苏能华微电子科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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