【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，具体涉及顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管及其封装方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管（gan-hemt）结构通常通过mocvd在市售的4至8英寸衬底（例如硅、碳化硅、蓝宝石或甚至2至4英寸单晶gan）上外延生长而成。用于消费/工业/汽车电源开关和rf放大器应用的各种gan-hemt器件是在能够加工贵金属（如黄金）的商业晶圆厂或专业代工厂使用cmos兼容工艺制造的。用于特定应用的基底材料的选择取决于许多因素，其中本征基底材料的热导率是最关键的要求之一。
2、蓝宝石晶片因其相对便宜的价格而被广泛应用于hv（器件的击穿电压bv>600v）和uhv（bv>1200v）的gan hemt器件中，目前其价格可与硅相媲美。然而，在所有主流基底材料中，蓝宝石具有最低的热导率，在蓝宝石衬底上制造的任何gan-hemt器件在正常操作期间都将不可避免地遭受器件性能的热诱导退化，例如导通电阻（rdson），甚至由于器件的传导通道中的过多热量产生而导致的功能故障。其中gan hemt器件的峰值电场和温度...
【技术保护点】
1.一种顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括依次层叠设置的衬底层（1）和缓冲层（2），设置在所述缓冲层（2）部分表面的沟道层（3），设置在所述沟道层（3）部分表面的源极（5）和漏极（6），以及设置在所述沟道层（3）剩余表面的势垒层（4），设置在所述势垒层（4）部分表面的栅极（7）；
2.根据权利要求1所述的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述热传递器件（10）包括依次层叠设置的粘合层、金属扩散屏障层和金属基热传递层；
3.根据权利要求2所述的顶部具有热传递器件...
【技术特征摘要】
1.一种顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括依次层叠设置的衬底层（1）和缓冲层（2），设置在所述缓冲层（2）部分表面的沟道层（3），设置在所述沟道层（3）部分表面的源极（5）和漏极（6），以及设置在所述沟道层（3）剩余表面的势垒层（4），设置在所述势垒层（4）部分表面的栅极（7）；
2.根据权利要求1所述的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述热传递器件（10）包括依次层叠设置的粘合层、金属扩散屏障层和金属基热传递层；
3.根据权利要求2所述的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述粘合层的材料为ti或tin。
4.根据权利要求2或3所述的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述粘合层的厚度为10~50nm。
【专利技术属性】
技术研发人员：李亦衡，王强，秦佳明，魏鸿源，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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