温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管及其封装方法。本发明在高电子迁移率晶体管钝化层与源极连接场板或栅极连接场板接触的区域设置有通孔，包括设置在所述钝化层表面且通过钝化层的通孔与源极连接场板或栅极连接场...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。