【技术实现步骤摘要】
具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件
本技术涉及一种HEMT器件,特别是涉及一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件。
技术介绍
HEMT(HighElectronMobilityTransistor),高电子迁移率晶体管,是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。硅衬底因其有大尺寸低成本等特点被广泛应用于氮化镓(GaN)基的HEMT器件中。击穿电压(BreakdownVoltage),是衡量HEMT器件性能的一项重要指标,在传统HEMT器件的(Al,Ga)N/Si界面,由于电荷的集聚,会形成一个导电通道,通过该导电层将电流引入位错和芯片侧壁等纵向导电通道后,会造成器件击穿电压的大幅下降。多项研究证明,硅衬底和外延层的界面是重要的导电通道,如图1所示。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层,所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道,所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。优选地,所述的p+型掺杂通道设置有多条,相邻两条所述的p+型掺杂通道之间的间距为4.5~5.5μm。优选地,所述的p+型掺杂通道的宽度为0.5~1.5μm。优选地,所述的p+型掺杂通道的深度为1.5~2μm。优选地,所述的p+型掺杂通道的掺杂元素为B,掺杂浓度大于>1E19cm ...
【技术保护点】
一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层,其特征在于:所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道,所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。
【技术特征摘要】
1.一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层,其特征在于:所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道,所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。2.根据权利要求1所述的具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,其特征在于:所述的p+型掺杂通道设置有多条,相邻两条所述的p+型掺杂通道之间的间距为4.5~5.5μm。3.根据权利要求1所述的具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,其特征在于:所述的p+型掺杂通道的宽度为0.5~1.5μm。4.根据权利要求1所述的具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,其特征在于:所述的p+型掺杂通道的深度为1~2μm。5.根据权利要求1所述的具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件,其特征在于:所述的p+型掺杂通道的掺杂元素为B,掺杂浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏远洋,苗操,李亦衡,朱廷刚,严文胜,
申请(专利权)人:江苏能华微电子科技发展有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。