【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，涉及金属氧化物场效应管(MOSFET)的电学性能测试，具体是一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法。
技术介绍
MOSFET的衬底掺杂浓度决定着器件的传输性能，是半导体工艺中非常重要的一个参量。传统的测量方法中较为常用的为电容电压CV方法，该方法把MOSFET栅、氧化层和衬底当一个电容器，利用高低频测试获得CV曲线，从曲线上提取出衬底信息来。这一方法的特点是比较准确，但测试设备要求较高，必须具备高低频率脉冲测试模块，而目前具备类似模块的设备非常昂贵，而一般的设备操作不方便，测试反应速度慢。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法，步骤如下：(1)设置MOSFET的测试端电压IGM，固定漏端电压VD，悬浮MOSFET的源端，衬底接地；对MOSFET的栅电压VG进行扫描，漏电流即为IGM；在相同的测试条件下，被测器件、已知尺寸和衬底掺杂与被测MOSFET相同的对比器件进行测试IGM-VG曲线，标记对比器件的已知衬底掺杂浓度为NA0；(2)被测器件相比对比器件的IGM曲线在栅电压VG轴上发生漂移，其漂移量为ΔVG，此时两个器件的IGM峰值点对应的VG和衬底掺杂分布标记为对比器件(VG0，NA0)和被测器件为(VG1，NA1)，其中VG0、VG1直接从曲线上获取；(3)在峰值处，被测器件和对比器件的沟道界面处的空穴浓度相同，此时沟道...
【技术保护点】
一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤如下：(1)设置MOSFET的测试端电压IGM，固定漏端电压VD，悬浮MOSFET的源端，衬底接地；对MOSFET的栅电压VG进行扫描，漏电流即为IGM；在相同的测试条件下，被测器件、已知尺寸和衬底掺杂与被测MOSFET相同的对比器件进行测试IGM‑VG曲线，标记对比器件的已知衬底掺杂浓度为NA0；(2)被测器件相比对比器件的IGM曲线在栅电压VG轴上发生漂移，其漂移量为ΔVG，此时两个器件的IGM峰值点对应的VG和衬底掺杂分布标记为对比器件(VG0，NA0)和被测器件为(VG1，NA1)，其中VG0、VG1直接从曲线上获取；(3)在峰值处，被测器件和对比器件的沟道界面处的空穴浓度相同，此时沟道空穴浓度的PS为：PS(UG,UD)=NAexp{-β[qϵsNACox2+UGF-(2qϵsNA)1/2CoxqϵsNA2Cox2+UGF+UD]}---(1)]]>其中NA为衬底掺杂，Cox为栅氧化层电容，UGF为栅电压，q为电子电量，UD为漏端电压，ε...
【技术特征摘要】
1.一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤如下：(1)设置MOSFET的测试端电压IGM，固定漏端电压VD，悬浮MOSFET的源端，衬底接地；对MOSFET的栅电压VG进行扫描，漏电流即为IGM；在相同的测试条件下，被测器件、已知尺寸和衬底掺杂与被测MOSFET相同的对比器件进行测试IGM-VG曲线，标记对比器件的已知衬底掺杂浓度为NA0；(2)被测器件相比对比器件的IGM曲线在栅电压VG轴上发生漂移，其漂移...
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