半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置和一种制造所述半导体装置的方法。所述装置包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)。所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽。所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法
本说明书涉及半导体装置，涉及制造半导体装置的方法，并且涉及半导体装置的高侧开关。
技术介绍
近年来，GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)关于它们替代Si或SiC用作高电压(HV)装置的可能性已经吸引了大量的注意力。GaN/AlGaNHEMT包括位于包括GaN层的衬底上的栅极、源极和漏极。衬底的背侧可被视为HEMT的第四电端子。衬底的背侧可电连接到其它三个端子中的一个端子。为了在切换期间减少电磁干扰(EMI)，衬底的背侧可连接到装置的非切换节点，因为背侧可被视为可提供对不断变化的电势的电磁屏蔽的导电板。施加有不断变化的电势的节点大体上取决于使用HEMT的应用。举例来说，当HEMT在DC/DC降压转换器中用作低侧开关时，不断变化的电势出现在漏极处。在此情况下，背侧可连接到源极或栅极。在另一个例子中，当HEMT用作高侧开关时，不断变化的电势出现在源极处，在此情况下，背侧可连接到漏极。不管上面所提到的考虑因素，连接有衬底的背侧的节点时常由除电磁干扰以外的因素确定。举例来说，耗尽模HEMT具有负阈值电压。为了获得正阈值电压，HEMT可与硅金属氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)，其中所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽，以及其中所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离。

【技术特征摘要】
2015.11.11 EP 15194122.61.一种半导体装置，其特征在于，包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)，其中所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电磁干扰的屏蔽，以及其中所述导电屏蔽部分与所述源极电隔离，并且与所述衬底的背侧电隔离。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电屏蔽部分至少部分地在所述衬底下方延伸。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，当从所述衬底的主表面上方观察时，所述导电屏蔽部分在所述衬底的周边周围延伸，以至少部分地围绕所述衬底。4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述导电屏蔽部分电连接到所述漏极。5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述导电屏蔽部分电连接到外部电势。6.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括具有一个或多个金属层的介电质衬底。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底的所述背侧安装在位于所述介电质衬底的上表面上的金属层上，并且其中所述导电屏蔽部分包括位于所述介电质衬底的所述上表面下方的一个或多个金属层。8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括金属引线框架。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰伦·安东·克龙，昆拉德·科内利斯·塔克，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL