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本发明提供一种半导体装置和一种制造所述半导体装置的方法。所述装置包括安装在载体上的衬底，所述衬底包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管(HEMT)。所述载体包括导电屏蔽部分，所述导电屏蔽部分用于提供对在操作期间与所述装置的切换相关的电...
该专利属于安世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安世有限公司授权不得商用。

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