半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够提高半导体装置的耐压以及耐压稳定性的半导体装置。本发明专利技术的半导体装置的特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于该半导体衬底；保护环，在该半导体衬底上以包围该半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；低洼部分，在该半导体衬底上以包围该保护环的方式形成得比该半导体衬底的主面低；沟道停止层，沿着该低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在例如大电流的开关等中使用的半导体装置。
技术介绍
在专利文献I中公开了在半导体衬底上形成有保护环和沟道停止层(channelstopper)的半导体装置。保护环和沟道停止层是为了提高半导体装置的耐压而形成的。专利文献 专利文献I :日本特开2005-183891号公报。在专利文献I所公开的半导体装置中不能够充分地提高耐压以及耐压稳定性。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于提供一种能够提高半导体装置的耐压以及耐压稳定性的半导体装置。本专利技术提供一种半导体装置，其特征在于，具备第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于该半导体衬底；保护环，在该半导体衬底上以包围该半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；低洼部分，在该半导体衬底上以包围该保护环的方式形成得比该半导体衬底的主面低；沟道停止层，沿着该低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。本专利技术的另一半导体装置的特征在于，具备第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于该半导体衬底；槽内保护环，沿着在该半导体衬底的主面以包围该半导体元件的方式形成的沟槽的内壁由第二导电型的扩散层形成；第二导电型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于所述半导体衬底；保护环，在所述半导体衬底上以包围所述半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；低洼部分，在所述半导体衬底上以包围所述保护环的方式形成得比所述半导体衬底的主面低；以及沟道停止层，沿着所述低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。

【技术特征摘要】
2011.07.26 JP 2011-1634201.一种半导体装置，其特征在于，具备 第一导电型的半导体衬底； 半导体元件，形成于所述半导体衬底； 保护环，在所述半导体衬底上以包围所述半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成； 低洼部分，在所述半导体衬底上以包围所述保护环的方式形成得比所述半导体衬底的主面低；以及 沟道停止层，沿着所述低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。2.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于， 具备槽内保护环，该槽内保护环沿着在所述半导体衬底的主面以包围所述半导体元件的方式形成的沟槽的内壁由第二导电型的扩散层形成。3.一种半导体装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：星子高广，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：