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本发明的目的在于提供一种能够提高半导体装置的耐压以及耐压稳定性的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于该半导体衬底；保护环，在该半导体衬底上以包围该半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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