高压半导体元件制造技术

本发明专利技术披露了一种高压半导体元件，包括基底；第一导电型井设于该基底中；第一第二导电型掺杂区设于该第一导电型井中；第一隔离结构设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及第一第二导电型漂移环设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压二极管(high voltage diode, HV Diode),尤指一种利用导电型漂移环来提供稳定崩溃电压的高压二极管元件。
技术介绍
双重扩散漏极(double diffuse drain, DDD)主要是一种应用于高压金属氧化半导体(high voltage metal oxide semiconductor, HVM0S)晶体管的二极管(diode),用来提供HVMOS晶体管较高的崩溃电压(breakdown voltage)以防止高电压,例如静电放电(electrostatic discharge, ESD)对半导体元件的破坏,并解决MOS晶体管沟道缩短后所产生的热电子效应(hot electron effect),进而避免该漏极/源极在高电压的操作环境下发生电性崩溃(electrical breakdown)的现象。 已知的高压二极管元件主要包括基底、N+掺杂区设于基底中以及隔离用的场氧化层环绕该N+掺杂区。然而，以现有的架构而言，高压二极管元件在长时间的应用之后通常在N+掺杂区与场氧化层之间的连接处(junction)会产生某种程度的毁损(br本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压半导体元件，包括：基底；第一导电型井，设于该基底中；第一第二导电型掺杂区，设于该第一导电型井中；第一隔离结构，设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及第一第二导电型漂移环，设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：浦士杰，李庆民，徐尉伦，王智充，林克峰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：