一种可控制焊料层厚度的整流二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件的技术领域，具体的涉及一种可控制焊料层厚度的整流二极管。一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，所述的焊料层内设有支撑结构。该二极管可控制焊料层的厚度，有效避免因焊料层过薄使外壳和铜引出片直接挤压芯片而造成芯片损伤。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体器件的
，具体的涉及ー种可控制焊料层厚度的整流ニ极管。
技术介绍
整流ニ极管是ー种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，广泛应用于各种电子线路，现有整流ニ极管均是由外壳、芯片以及铜引出片组成。在整流ニ极管的制备过程中，需要进行芯片与铜引出片之间的焊接，目前所用焊料在焊接高温下容易熔化，致使焊料 层的厚度是难以控制的，有时焊接完成后焊料层厚度会很薄。由于外壳和铜引出片在高温焊接时和在焊接完成冷却时胀カ是不同的，会不同程度的挤压芯片，产生一定的压力，若是焊料层厚度过于薄，没有足够的缓冲作用，挤压的压カ直接作用在芯片上，导致芯片在一定程度的损坏，影响了整流ニ极管的使用性能。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述存在的缺陷而提供一种可控制焊料层厚度的ニ极管，该ニ极管可控制焊料层的厚度，有效避免因焊料层过薄使外壳和铜引出片直接挤压芯片而造成芯片损伤。本技术的技术方案为一种可控制焊料层厚度的整流ニ极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片I和铜引出片II，铜引出片I的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片II的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片I和铜引出片II与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片I的另一端和铜引出片II的另一端则分别外露在外壳外，所述的焊料层内设有支撑结构。所述支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。所述金属颗粒为Al颗粒。所述的金属颗粒为金属球或多面体。所述金属球的直径为10 70um ;所述多面体的高度为IOum 70um。所述外壳采用环氧塑封材料。本技术的有益效果为本技术的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，在焊料层内设有支撑结构，该支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒，其粒径根据需要可以自行控制，从而焊料层的厚度也是可控制的。并且支撑结构若干个金属颗粒的熔点高于焊接温度，即使焊料因熔化导致焊料层过薄，也因有支撑结构若干个金属颗粒的支撑，有效避免外壳和铜引出片直接挤压芯片，并且支撑结构若干个金属颗粒的硬度小于芯片硬度，充分起到了支撑、缓冲的作用，有效地保护了芯片，避免芯片受到损伤。附图说明图I为本技术具体实施方式中可控制焊料层厚度的ニ极管的结构示意图。其中，I为外売，2为芯片，3为铜引出片I，4为铜引出片II，5为焊料层，6为支撑结构。具体实施方式以下结合附图，对本技术的技术方案进行详细的说明。从图I中可以看出，本技术的一种可控制焊料层厚度的整流ニ极管，包括外壳I、内部的芯片2、铜引出片I 3和铜引出片II 4，铜引出片I 3的一端位于芯片2的上方，该端通过焊料层5与芯片2焊接；铜引出片II 4的一端位于芯片2的下方，该端通过焊料层5与芯片2焊接；铜引出片I 3和铜引出片II 4与芯片2焊接的一端以及芯片2均封装在 外壳I内，铜引出片I 3的另一端和铜引出片II 4的另一端则分别外露在外壳I外。所述的焊料层5内设有支撑结构6。所述支撑结构6为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。金属颗粒的粒径可根据需要自行掌控。所述金属颗粒为Al颗粒。所述的金属颗粒为金属球或多面体。所述金属球的直径为10 70um。多面体的高度为IOum 70um。所述外壳I采用环氧塑封材料。当使用本技术的所述的整流ニ极管时，由于该整流ニ极管的焊料层中设有支撑结构6，该支撑结构6可以起到支撑和缓冲的作用，有效地保护了芯片。权利要求1.一种可控制焊料层厚度的整流ニ极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片I和铜引出片II，铜引出片I的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片II的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片I和铜引出片II与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片I的另一端和铜引出片II的另一端则分别外露在外壳外，其特征在干，所述的焊料层内设有支撑结构。2.根据权利要求I所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在于，所述支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。3.根据权利要求2所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在于，所述金属颗粒为Al颗粒。4.根据权利要求2所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在干，所述的金属颗粒为金属球或多面体。5.根据权利要求4所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在干，所述金属球 的直径为IOum 70um。6.根据权利要求4所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在干，所述多面体的高度为IOum 70um。7.根据权利要求I所述的可控制焊料层厚度的整流ニ极管，其特征在于，所述外壳采用环氧塑封材料。专利摘要本技术属于半导体器件的
，具体的涉及一种可控制焊料层厚度的整流二极管。一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，所述的焊料层内设有支撑结构。该二极管可控制焊料层的厚度，有效避免因焊料层过薄使外壳和铜引出片直接挤压芯片而造成芯片损伤。文档编号H01L29/861GK202651123SQ201220322928公开日2013年1月2日 申请日期2012年7月5日 优先权日2012年7月5日专利技术者董志强, 岳跃忠 申请人:海湾电子(山东)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，其特征在于，所述的焊料层内设有支撑结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董志强，岳跃忠，
申请(专利权)人：海湾电子山东有限公司，
类型：实用新型
国别省市：