保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种PN结电容小的保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置。保护二极管具备：半导体基板，其具备第1区域、包围该第1区域的第2区域和包围该第2区域的第3区域；第1绝缘层，其设置在该第2区域与该第3区域之间；第1导电型半导体，其设置在该第3区域中；第2导电型半导体，其设置在该第2区域中；以及电容缓和层，其设置在该第1区域中。半导体装置具备：该保护二极管；与该保护二极管连接的第1焊盘；不具有该电容缓和层的构造的保护二极管；和与该不具有该电容缓和层的构造的保护二极管连接的第2焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及针对过大的输入电压而保护半导体装置的内部电路的保护二极管以及具备该保护二极管半导体装置。
技术介绍
以往，例如对驱动IC等半导体装置的信号输入端子设置用于保护内部电路以免受过大的输入电压的影响的保护二极管。例如，在专利文献I中公开了一种具备保护二极管的半导体装置。作为保护二极管，例如可以使用将N型半导体注入P型阱中而形成的PN结二极管。例如专利文献2中公开了具有该构造的输入保护二极管。专利文献I :日本特开2010 - 123796号公报 专利文献2 :日本特开平06 - 350034号公报。然而，在PN结二极管中，P型半导体与N型半导体的结部分通常存在PN结电容。一般而言，若信号传输路径中存在的电容越大，则信号波形越变钝，因此设置于高速信号输入用的信号输入端子的保护二极管的PN结电容必须很小。但是，在以往的保护二极管中，存在作为高速信号用途，PN结电容不足够小这一问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的问题点而提出，目的在于提供一种PN结电容小的保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置。本专利技术的保护二极管的特征在于，具备半导体基板，其具备第I区域、包围所述第I区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护二极管，其特征在于，具备：半导体基板，其具备第1区域、包围所述第1区域的第2区域和包围所述第2区域的第3区域；第1绝缘层，其设置在所述第2区域与所述第3区域之间；第1导电型半导体，其设置在所述第3区域中；第2导电型半导体，其设置在所述第2区域中；以及电容缓和层，其设置在所述第1区域中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平间厚志，东真砂彦，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：