【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低发火电压微型半导体桥发火组件,它包括半导体桥换能元芯片(1)、微型不对称陶瓷电极塞(2)、键合金属丝(6,7)、电热敏感发火药(13),其特征在于:将桥区长为18~21μm,宽为48~51μm,电阻为3~5Ω,外形尺寸不大于长0.5mm×宽0.5mm×高0.5mm的半导体桥换能元芯片(1)用粘结剂(12)固定在直径为2.0~2.2mm,高度为1.0~1.2mm微型不对称陶瓷电极塞(2)的梯形凹槽(3)内,其梯形凹槽短边长为0.5~0.55mm,长边长为0.6~0.7mm,边高为0.5~0.6mm,槽深为0.6mm,长边位于电极塞对称中心线上或附近,半导体桥换能元芯片(1)的两个金属焊盘(9,10)与电极塞(2)的两根脚线电极(4,5)之间用键合金属丝(6,7)以超声波焊接方式实现电路连接,两根脚线电极(4,5)直径为0.3~0.4mm,极距为0.6~0.8mm,两根脚线电极(4,5)的中心连线与电极塞(2)中心的距离为0.3~0.5mm,半导体桥换能元芯片(1)上方装填电热敏感发火药(13)超细结晶中性三硝基间苯二酚铅构成发火组件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:严楠,王刚,鲍丙亮,何爱军,焦清介,叶耀坤,娄文忠,张威,刘登程,温玉全,
申请(专利权)人:北京理工大学,
类型:发明
国别省市:
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