一种内部电压调整电路，包括：一控制装置，利用一时钟的计数值的变化调整一内部电压，其中一半导体装置的一内部电压产生器产生该内部电压，一时钟产生器根据流过该时钟产生器的一电源电流源的一晶体管的电流产生该时钟；其中当一预定参考电压施加至该晶体管的控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第一计数值，当该内部电压施加至该晶体管的该控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第二计数值，且该控制装置控制该内部电压产生器所产生的该内部电压以使该第二计数值实质上与该第一计数值一致。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种内部电压调整电路，包括：一控制装置，利用一时钟的计数值的变化调整一内部电压，其中一半导体装置的一内部电压产生器产生该内部电压，一时钟产生器根据流过该时钟产生器的一电源电流源的一晶体管的电流产生该时钟；其中当一预定参考电压施加至该晶体管的控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第一计数值，当该内部电压施加至该晶体管的该控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第二计数值，且该控制装置控制该内部电压产生器所产生的该内部电压以使该第二计数值实质上与该第一计数值一致。【专利说明】内部电压调整电路、内部电压调整方法以及半导体装置
本专利技术是有关于用于半导体存储装置(例如NAND型闪存)等的半导体电路的内部电压调整电路及其方法，并有关于包括上述内部电压调整电路的半导体电路装置。
技术介绍
在闪存中，内部电路产生用于读出、写入以及抹除的电压。为了得到精确的电压，通常会利用具有电阻梯电路以及比较器的电压调整电路以控制并调整这些内部电压。尽管如此，在利用电压调整电路的情况下，由于电压调整电路的比较器和电阻的制程差异，严格来说，这些内部电压会低于或高于目标值。在此种情况下，进行调整码(trimming code)的调整是必要的。如专利文献I所示，图9为根据第一已知例的闪存所使用的电荷泵电路100的组成的电路图。包括作为电压产生电路的电荷泵电路100的闪存的组成与操作将在下列说明。如图9所示的闪存包括电荷泵(charge pump)电路100以及存储单元101,电荷泵电路100产生由外部电源电压VPP升压而成的升压电压VP，存储单元101由电荷泵电路100输出的升压电压VP驱动。在此，电荷泵电路100包括泵电路110、电平检测电路(potentialdetecting circuit) 111以及振荡器电路112。电平检测电路111检测升压电压VP的电平是否达到预定的电平以控制泵电路110的升压操作而产生预定的升压电压VP。泵电路110又称为狄克逊电荷泵(Dickson Charge Pump),其包括电荷传送装置。电荷传送装置包括N型金属氧化物半导体(n-channel MOSFET，以下简称为NM0S)晶体管142、NMOS晶体管143以及NMOS晶体管144。外部电源电压VPP施加至NMOS晶体管142的漏极，NMOS晶体管143的漏极连接至NMOS晶体管142的源极，NMOS晶体管144的漏极连接至NMOS晶体管143的源极，且NMOS晶体管144的源极作为泵电路110的输出节点01。NMOS晶体管142?144的漏极分别连接至各自的栅极，NMOS晶体管142与NMOS晶体管143之间的连接节点Pl连接至电容ClOl —端的电极，NMOS晶体管143与NMOS晶体管144之间的连接节点P2连接至电容C102 —端的电极。振荡器电路112输出的时钟信号CLK以及电平检测电路111输出的检测信号DETl输入至泵电路110。时钟信号CLK和检测信号DETl用来控制作为泵驱动器的及电路140和141。此外，时钟信号CLK输入至及电路141并通过反相器G21输入至及电路140。检测信号DETl输入至及电路140和及电路141。及电路140的输出节点NI连接至电容ClOl另一端的电极，及电路141的输出节点N2连接至电容C102另一端的电极。电平检测电路111包括电阻Rl和RO以及比较器CPl。电阻Rl和RO串联连接于泵电路110的输出节点01与共同电位(例如接地电位)之间，电阻Rl和RO之间的连接节点连接至比较器CPl的反相输入端，参考电压VREFl输入至比较器CPl的非反相输入端。比较器CPl的输出为检测信号DETl并连接至振荡器电路112以及泵电路110。振荡器电路112包括反相器G10、时钟反相器(clocked inverter)Gll、反相器G12以及反相器G13。检测信号DETl输入至反相器G10。检测信号DETl时钟输入至时钟反相器G11，反相器GlO的输出反向时钟输入至时钟反相器G11。时钟反相器Gll的输出输入至反相器G12的输入端，反相器G12的输出输入至反相器G13的输入端，且反相器G13的输出为时钟信号CLK并连接至泵电路110。除此之外，时钟信号CLK还连接至时钟反相器Gl I的输入端。另外，NMOS晶体管Tl连接于时钟反相器Gll和反相器G12之间的连接节点以及共同电位之间，NMOS晶体管Tl的栅极连接至反相器GlO的输出端。如上所述，根据第一已知例的闪存所使用的电荷泵电路100包括电平检测电路111，且电平检测电路111包括由串联连接的电阻Rl和RO所构成的电阻分压电路DVl以及比较器CPI。如专利文献2所示，图10为根据第二已知例的内部电源电位供应电路(internalvoltage supplying circuit) 200的组成的电路图。如图10所示,外部电源电位VCE通过P型金属氧化物半导体(p-channel MOSFET，以下简称为PM0S)晶体管Q201成为内部电源电位VCI并连接至负载211。比较器201的反相输入端接收参考电位Vref，比较器201的非反相输入端接收作为反馈信号的分压内部电源电位DVCI。PMOS晶体管Q201的漏极通过电阻R211以及电阻R212接地。内部电源电位VCI经电阻R211以及电阻R212分压之后的电压为分压内部电源电位DVCI并连接至比较器201的非反相输入端。在如上所述的根据第二已知例的内部电源电位供应电路200中，由于在不管内部电源电位VCI和外部电源电位VCE的设定条件的情况下，可以自由选择比较器201的操作点，比较器201的特性可以保持良好。因此，此种组成具有可以根据特定的参考电位Vref稳定提供内部电源电位VCI的特殊效果。如专利文献3所示，图11为根据第三已知例的内部电压产生电路(internalvoltage generating circuit) 300的组成的电路图。以下所示为内部电压产生电路300包括直流转换器(DC-to-DC converter) 313的例子。在图11中，直流转换器313将内部电源电压VO输出至逻辑电路306以及电压控制振荡单元302。电压控制振荡单元302将具有频率fv的振荡信号输出至频率比较单元311，其中频率fv对应于被输入的内部电源电压VO。举例而言，频率比较单元311包括计数电压控制振荡单元302的输出信号fv的频率的计数器、计数参考时钟fref的频率的计数器以及比较两计数值的比较器。另外，频率比较单元311也可以包括比较频率以及相位的频率/相位比较器。除此之外，频率比较单元311也可以包括相位比较器。控制时钟产生单元312根据频率的比较结果控制时钟Gl和G2的工作比(duty ratio)。如上所述的内部电压产生电路300根据参考时钟的频率fref控制内部电源电压VOo图12为根据第四已知例的NAND型闪存2E的组成的示意图。在图12中，根据第四已知例的NAND型闪存2E包括:NAND型闪存区块10，具有数据暂存器10R ;控制器20，用以控制NAND型闪存2E的整体操作；参考电压产生器30，用以产生预定的参考电压Vref ;泵电路本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种内部电压调整电路，包括：一控制装置，利用一时钟的计数值的变化调整一内部电压，其中一半导体装置的一内部电压产生器产生该内部电压，一时钟产生器根据流过该时钟产生器的一电源电流源的一晶体管的电流产生该时钟；其中当一预定参考电压施加至该晶体管的控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第一计数值，当该内部电压施加至该晶体管的该控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第二计数值，且该控制装置控制该内部电压产生器所产生的该内部电压以使该第二计数值实质上与该第一计数值一致。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小川晓，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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