控制flash芯片上电的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:9357404 阅读:94 留言:0更新日期:2013-11-21 00:41
本发明专利技术公开了一种控制flash芯片上电的方法及装置,预先在主控芯片中集成闪存flash芯片的电源开关;该方法包括:当主控芯片的电压上升至其正常工作的电压范围后,经过第一预设时间,关闭电源开关,断开对flash芯片的供电;在第二预设时间后,开启电源开关,重新对flash芯片供电。采用本发明专利技术的方法,可以解决由于在flash芯片上电完成时,主控芯片并未完成上电,所导致的移动存储设备不能正常工作的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种控制flash芯片上电的方法,其特征在于,预先在主控芯片中集成闪存flash芯片的电源开关;所述方法包括:当所述主控芯片的电压上升至其正常工作的电压范围后,经过第一预设时间,关闭所述电源开关,断开对所述flash芯片的供电;在第二预设时间后,开启所述电源开关,重新对所述flash芯片供电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李华伟张如宏
申请(专利权)人:深圳芯邦科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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