一种开关电源自适应动态检测电路制造技术

技术编号:14847899 阅读:286 留言:0更新日期:2017-03-17 13:41
本发明专利技术公开了一种开关电源自适应动态检测电路,其用于产生一个随负载动态变化的自适应动态电压VREF。开关电源自适应动态检测电路包括开关周期转电流电路、低通滤波电路、VREF产生电路。开关周期转电流电路通过一个开关电源控制芯片内部OSC计时产生不同的控制信号,该控制信号开通该开关周期转电流电路内不同的电流支路,产生的支路电压经过该低通滤波电路滤波得到缓慢变化的相应电压,最后经过该VREF产生电路输出该自适应动态电压VREF。本发明专利技术具有动态特性好、输出电压过冲小的优点,能解决传统由于VREF电压(基准电压)不能动态跟随负载情况,而使不同负载检测的电压差值不一致,导致动态检测偏差大的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关电源
的一种电路,尤其涉及一种开关电源自适应动态检测电路
技术介绍
开关电源是电子系统中常见的组件。近年来,在目前小功率场合,比如对于5W、10W的手机充电器,原边反馈式开关电源应用越来越广泛。原边反馈式充电器的原理图如图1所示。该结构可以实现输出的恒流CC和恒压CV过程控制,恒流的实现原理是:I0=12*TdemT*NpNs*VcsRcs---(1)]]>式(1)中,I0是输出电流,Tdem是变压器次边电感消磁时间,T是开关周期,Np是变压器原边电感匝数,Ns是变压器次边电感匝数,Vcs是CS引脚阈值,Rcs是CS引脚电阻(如图1中R4)。当充电器输出达到额定输出时,充电器由CC模式切换到CV模式。CV模式的工作原理是:变压器辅助绕组检测输出电压,当次边导通时,辅助绕组的分压信号FB被IC采样,FB的采样信号与芯片内部的基准电压通过误差放大器进行比较,误差放大器的输出控制功率管开关的开关周期,该闭环负反馈系统实现控制输出恒压的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电源自适应动态检测电路,其用于产生一个随负载动态变化的自适应动态电压VREF,其特征在于:其包括开关周期转电流电路、低通滤波电路、VREF产生电路;该开关周期转电流电路通过一个开关电源控制芯片内部OSC计时产生不同的控制信号,该控制信号开通该开关周期转电流电路内不同的电流支路,产生的支路电压经过该低通滤波电路滤波得到缓慢变化的相应电压,最后经过该VREF产生电路输出该自适应动态电压VREF。

【技术特征摘要】
1.一种开关电源自适应动态检测电路,其用于产生一个随负载动态变化的
自适应动态电压VREF,其特征在于:其包括开关周期转电流电路、低通滤波
电路、VREF产生电路;该开关周期转电流电路通过一个开关电源控制芯片内
部OSC计时产生不同的控制信号,该控制信号开通该开关周期转电流电路内不
同的电流支路,产生的支路电压经过该低通滤波电路滤波得到缓慢变化的相应
电压,最后经过该VREF产生电路输出该自适应动态电压VREF。
2.如权利要求1所述的开关电源自适应动态检测电路,其特征在于:该
VREF产生电路包括第一MOS管镜像模组、跟随器AMP1、电阻R8;跟随器AMP1
的同相端接收一个基准电压给定值VREF1,反相端连接跟随器AMP1的输出端,
且跟随器AMP1的输出端与电阻R8的一端连接;电阻R8的另一端连接第一MOS
管镜像模组的输出端后作为该自适应动态电压VREF的输出端,该第一MOS管
镜像模组的输入端与该低通滤波电路的输出端连接。
3.如权利要求2所述的开关电源自适应动态检测电路,其特征在于:第一
MOS管镜像模组包括P型场效应管MP1、v个P型场效应管MP2、N型场效应管
MN1、n个N型场效应管MN2;其中,v、n均为不小于1的整数,P型场效应管
MP1的栅极和漏极相连,P型场效应管MP1的源极与栅极分别和P型场效应管
MP2的源极与栅极连接;P型场效应管MP1的漏极和N型场效应管MN1的漏极连
接,P型场效应管MP2的漏极和N型场效应管MN2的漏极连接;N型场效应管
MN1的栅极与低通滤波电路的输出端连接,其源极接地;N型场效应管MN2的栅
极接收一个偏置电压BIASN,其源极接地。
4.如权利要求3所述的开关电源自适应动态检测电路,其特征在于:该低
通滤波电路包括P型场效应管MP3、电阻R9、电容C7,其中P型场效应管MP3
的漏极与该开关周期转电流电路的输出端连接,P型场效应管MP3的栅极接收
一定宽度的脉冲控制信号,P型场效应管MP3的源极与电阻R9的一端连接,电

\t阻R9的另一端与N型场效应管MN1的栅极连接;电容C7一端与N型场效应管
MN1的栅极连接,另一端接地。
5.如权利要求4所述的开关电源自适应动态检测电路,其特征在于:该开
关周期转电流电路包括逻辑控制模组、第二MOS管镜像模组、u个N型场效应
管MN5;第二MOS管镜像模组包括M组电流支路,u、M均为不小于1的整数,
...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜雨高瑞宣刘万乐
申请(专利权)人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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