开关单元及电源电路制造技术

本发明专利技术涉及开关单元及电源电路，开关单元具备：常通型的第1开关元件；常断型的第2开关元件，非电位基准侧导通端子连接于该第1开关元件的电位基准侧导通端子；串联电容器，连接在所述第1开关元件的导通控制端子与所述第2开关元件的导通控制端子之间；以及二极管，阳极与所述第1开关元件的导通控制端子连接，阴极与所述第1开关元件与所述第2开关元件的共同连接点连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及将常通型的开关元件和常断型的开关元件串联连接而成的开关单元、以及具备该开关单元而构成的电源电路。
技术介绍
在例如逆变器或转换器这样的电力变换电路中，作为开关元件使用双极晶体管或FET等。FET包括向栅极-源极间施加驱动电压时导通的常断型、以及在不向栅极-源极间施加驱动电压的0V的状态下导通的常通型。例如GaN-HEMT(GalliumNitrideHighElectronMobilityTransistor)在多数情况下是常通型的FET，是具有高的耐电压性且能够高速动作的元件。在电源电路等中，从安全性和减少系统中内置的电源相关的元件数的观点出发，使用常断型的元件。一般来说，在使用常通型的开关元件时，多数情况下与常断型的开关元件串联连接，并且将常断型的源极连接到常通型的栅极，由此进行常断型的动作。这种情况下，通过常通型元件的源极和常断型元件的漏极的连接点的电位上升，使得常断型的栅极电位相对地下降，元件进行开关动作。如果使常通型的栅极电位相对地下降，则能够得到更稳定的动作(例如参照欧洲专利第2693639号说明书)。但是，这种情况下，常通型元件的动作变得不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关单元，具备：常通型的第1开关元件；常断型的第2开关元件，非电位基准侧导通端子连接于所述第1开关元件的电位基准侧导通端子；串联电容器，连接在所述第1开关元件的导通控制端子与所述第2开关元件的导通控制端子之间；以及二极管，阳极与所述第1开关元件的导通控制端子连接，阴极与所述第1开关元件与所述第2开关元件的共同连接点连接。

【技术特征摘要】
2015.04.15 JP 2015-0833241.一种开关单元，具备：常通型的第1开关元件；常断型的第2开关元件，非电位基准侧导通端子连接于所述第1开关元件的电位基准侧导通端子；串联电容器，连接在所述第1开关元件的导通控制端子与所述第2开关元件的导通控制端子之间；以及二极管，阳极与所述第1开关元件的导通控制端子连接，阴极与所述第1开关元件与所述第2开关元件的共同连接点连接。2.如权利要求1所述的开关单元，所述二极管是齐纳二极管，还具备相对于所述串联电容器并联、而且阳极与第1开关元件的导通控制端子连接的二极管。3.如权利要求1或2所述的开关单元，具备连接在所述第2开关元件的导通控制端子与所述串联电容器之间的电阻元件。4.如权利要求3所述的开关单元，在对所述串联电容器输入高电位驱动信号的路径中具备电阻元件。5.如权利要求1所述的开关单元，还具备相对于所述第1及第2开关元件的串联电路并联、而且阴极与第1开关元件的非电位基准侧导通端子连接而阳极与第2开关元件的电位基准侧导通端子连接的二极管。6.如权利要求2所述的开关单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川光平，安住壮纪，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP