开关电路和具备该开关电路的电源电路制造技术

将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。

Switching circuit and power supply circuit having the same

The high voltage constant conduction transistor (T1) is connected in series with the low voltage constant cut-off transistor (T2), and a diode (D1, D2) is arranged in parallel with the transistor (T2). A gate terminal of the transistor (T1) is connected to a source terminal of the transistor (T2) and a gate drive circuit (11) is provided for controlling the gate terminal output signal of the transistor (T2). The diode (D2) positive voltage is lower than the diode forward voltage (D1), so that through the diode (D2) node (N2), (N3) the path is greater than the inductance components connected through diodes (D1) node (N2), (N3) connected path inductance components. Thus, a switching circuit is provided which includes a transistor connected in series and reduces the transient current when the switch is turned off.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及开关电路和电源电路，特别是涉及包括串联连接的晶体管的开关电路和具备该开关电路的电源电路。
技术介绍
电力用晶体管一般具有当栅极－源极间电压为0V时会流过漏极电流的常导通型的特性。因此，在对电力用晶体管的栅极端子不是施加足够的负极性电压而是施加漏极电压时，会流过大的电流，有时电力用晶体管会被破坏。因而，电力用晶体管与双极晶体管、金属氧化膜半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：MOSFET)等常截止型晶体管相比更难操作。因此，以往已知将高耐压的常导通型晶体管与低耐压的常截止型晶体管串联连接的开关电路。例如在专利文献1的图4中记载了具备将常导通型的接合型FET与MOSFET串联连接的电路的电力转换装置。在专利文献1的图1中记载了一种电力转换装置，该电力转换装置设有二极管，该二极管与将常导通型晶体管和常截止型晶体管串联连接的电路反向并联，该电力转换装置使用栅极驱动电路控制2个晶体管的栅极电压。另外，在专利文献2中记载有一种开关电源装置，该开关电源装置具备将高耐压的常截止型晶体管与低耐压的常截止型晶体管串联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电路，其特征在于，具备：第1晶体管，其具有连接到第1节点的第1导通端子和连接到第2节点的第2导通端子；第2晶体管，其具有连接到上述第2节点的第1导通端子和连接到第3节点的第2导通端子；第1二极管，其与上述第2晶体管反向并联地设置于将上述第2节点和上述第3节点相连的第1路径上；第2二极管，其与上述第2晶体管反向并联地设置于将上述第2节点和上述第3节点相连的第2路径上；以及驱动电路，其对上述第2晶体管的控制端子输出控制信号，上述第1晶体管的控制端子直接连接到上述第3节点，或者经由无源元件或电源电路连接到上述第3节点，上述第1晶体管的耐压电压比上述第2晶体管的耐压电压高，上述第2二极管的正向...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.30 JP 2014-1341341.一种开关电路，其特征在于，具备：第1晶体管，其具有连接到第1节点的第1导通端子和连接到第2节点的第2导通端子；第2晶体管，其具有连接到上述第2节点的第1导通端子和连接到第3节点的第2导通端子；第1二极管，其与上述第2晶体管反向并联地设置于将上述第2节点和上述第3节点相连的第1路径上；第2二极管，其与上述第2晶体管反向并联地设置于将上述第2节点和上述第3节点相连的第2路径上；以及驱动电路，其对上述第2晶体管的控制端子输出控制信号，上述第1晶体管的控制端子直接连接到上述第3节点，或者经由无源元件或电源电路连接到上述第3节点，上述第1晶体管的耐压电压比上述第2晶体管的耐压电压高，上述第2二极管的正向电压比上述第1二极管的正向电压低，上述第2路径的电感成分比上述第1路径的电感成分大。2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，上述第1晶体管是常导通型，上述第2晶体管是常截止型，上述第1晶体管的控制端子直接连接到上述第3节点，或者经由上述无源元件连接到上述第3节点。3.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，上述第1晶体管和上述第2晶体管是常截止型，上述第1晶体管的控制端子经由上述电源电路连接到上述第3节点。4.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，还具备保护用二极管，上述保护用二极管与上述第2晶体管反向并联地设置于将上述第2节点和上述第3节点相连的第3路径上，上述保护用二极管的正向电压比上述第2二极管的正向电压高。5.根据权利要求4所述的开关电路，其特征在于，上述第3路径的电感成分比上述第2路径的电感成分小。6.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，上述第1二极管是上述第2晶体管的内置二极管。7.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，上述第2路径的配线长度比上述第1路径的配线长度长。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：片冈耕太郎，盐见竹史，若生周治，五十岚弘树，柴田晃秀，岩田浩，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP