一种大功率电子控制开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率电子控制开关，由第一电阻至第五电阻、第一电容至第五电容、第一三极管至第三三极管、第一二极管至第五二极管、可控硅组成，电路中主要由第二三极管、第三电阻、第三电容、可控硅、第五电容和第三三极管组成软启动电路，与现有技术相比，本实用新型专利技术通过电容、电阻、二极管、三极管和可控硅构成，不采用集成芯片，有效提高使用寿命，同时也节省了成本，主要针对于大功率的负载用电器，防止启动时电压对负载用电器的冲击，有效保护用电器，具有推广应用的价值。

High power electronic control switch

The utility model discloses a high power electronic control switch is composed of a first resistor, a first capacitor resistor to fifth to fifth to third capacitor, a first triode transistor, the first diode and fifth diode, silicon controlled rectifier, the circuit consists of second transistors, third resistors, third capacitors, capacitors and thyristor, fifth the third transistor composed of soft start circuit, compared with the prior art, the utility model is composed by capacitors, resistors, diodes, transistors and thyristors, the integrated chip, effectively improve the service life, but also saves the cost, mainly for high power load using electrical appliances, electrical appliances to prevent voltage on the load shock when starting the appliance with effective protection, has the value of application.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率电子控制开关
本技术涉及电子控制
，尤其涉及一种大功率电子控制开关。
技术介绍
电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元，至少包括一个可控的电子驱动器件，如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。但在实际使用过程中，电子开关主要是指触摸开关、感应开关、声控开关、无线开关等墙壁开关。现有技术中，电子控制开关大多是直接导通的，然而，对于负载功率较大的用电器的话，电压的冲击会导致用电器受损，而这类防冲击的电路控制开关种类繁多，技术效果各有千秋，本着精益求精的精神，需要进行不断的改进和创新。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种大功率电子控制开关。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：本技术由第一电阻至第五电阻、第一电容至第五电容、第一三极管至第三三极管、第一二极管至第五二极管、可控硅组成，第一电阻R1为100Ω、第二电阻R2为400Ω、第三电阻R3为500Ω、第四电阻R4为2kΩ、第五电阻R5为27kΩ、第一电容C1为300uf、第二电容C2为470uf、第三电容C3为100uf、第四电容C4为1000uf、第五电容C5为10uf、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率电子控制开关，其特征在于：由第一电阻至第五电阻、第一电容至第五电容、第一三极管至第三三极管、第一二极管至第五二极管、可控硅组成，第一电阻为100Ω、第二电阻为400Ω、第三电阻为500Ω、第四电阻为2kΩ、第五电阻为27kΩ、第一电容为300uf、第二电容为470uf、第三电容为100uf、第四电容为1000uf、第五电容为10uf、第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管、第三三极管为PNP型三极管，第一二极管至第四二极管型号均为IN4007、第五二极管型号为IN4001、可控硅型号为2N6397；交流电源的一端与第一电阻的第一端连接，交流电源的第二端同时与第三二极管的正极和第四二...

【技术特征摘要】
1.一种大功率电子控制开关，其特征在于：由第一电阻至第五电阻、第一电容至第五电容、第一三极管至第三三极管、第一二极管至第五二极管、可控硅组成，第一电阻为100Ω、第二电阻为400Ω、第三电阻为500Ω、第四电阻为2kΩ、第五电阻为27kΩ、第一电容为300uf、第二电容为470uf、第三电容为100uf、第四电容为1000uf、第五电容为10uf、第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管、第三三极管为PNP型三极管，第一二极管至第四二极管型号均为IN4007、第五二极管型号为IN4001、可控硅型号为2N6397；交流电源的一端与第一电阻的第一端连接，交流电源的第二端同时与第三二极管的正极和第四二极管的负极连接，第一电阻的第二端同时与第一二极管的正极和第二二极管的负极连接，第一二极管的负极同时与第三二极管的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭远哲，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：新型
国别省市：四川,51