The present invention provides a field effect transistor drive back EMF limiting protection circuit of inductive load, inductive load, including L1 Q1, the first FET resistor R1, second resistor R2, third resistor R3, a voltage stabilizing tube ZD1 and a capacitor C1; the invention components are low power and low cost, flexible circuit parameters set, small size, layout is not limited by position of PCB board, convenient and flexible.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于保护电路领域,具体的为一种场效应管驱动感性负载的反电势限幅保护电路。
技术介绍
随着电子技术的发展,场效应管有着使普通双极性晶体管不可比翼的优越性,现在价格也越来越低所以应用场合也非常广泛,尤其是在控制大电流开关电路中应用的大功率场效应管表现为极低的导通内阻使整个电路的效率提高,但是场效应管在驱动功率电感性负载时容易被电感产生的反电势击穿而造成永久损坏,因此要对场效应管采取电路保护以提高电路工作的可靠性;目前主要的保护电路是在场效应管两端并联大功率瞬态抑制二极管(TVS)或在电感两端并联大功率压敏电阻,这两种方法成本高且体积大(占用PCB板面积大),不利于产品的小型化,参数选择必须为元件制造厂家标称值;而现有电路所用的元件均为大功率、高成本,大体积的电路,而且参数不能灵活设置。
技术实现思路
本专利技术提供了一种场效应管驱动感性负载的反电势限幅保护电路,本电路所用的元件均为小功率的成本低,体积小,电路参数能灵活设置。本专利技术的技术方案是:效应管驱动感性负载的反电势限幅保护电路,包括感性负载L1、场效应管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、稳压管ZD1和电容C1;所述的感性负载L1的第一端连接电源BAT+,感性负载L1第二端连接场效应管Q1的漏极D、第一电阻R1及电容C1的第一端, 所述的第一电阻R1的第二端连接稳压管ZD1的负极和第二电阻R2的第一端,所述的第二电阻R2的第二端和电容C1的第二端均接电源的负极GND, 所述的稳压管ZD1的正极和第三电阻R3的第一端均连接到场效应管Q1的栅极G即驱动信号的输入端IN,所述的第三电阻R ...
【技术保护点】
一种场效应管驱动感性负载的反电势限幅保护电路,其特征在于,包括感性负载L1、场效应管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、稳压管ZD1和电容C1;所述的感性负载L1的第一端连接电源BAT+,感性负载L1第二端连接场效应管Q1的漏极D、第一电阻R1及电容C1的第一端, 所述的第一电阻R1的第二端连接稳压管ZD1的负极和第二电阻R2的第一端,所述的第二电阻R2的第二端和电容C1的第二端均接电源的负极GND, 所述的稳压管ZD1的正极和第三电阻R3的第一端均连接到场效应管Q1的栅极G即驱动信号的输入端IN,所述的第三电阻R3的另一端连接到电源的负极GND;所述的场效应管Q1的源级连接到电源的负极GND。
【技术特征摘要】
1.一种场效应管驱动感性负载的反电势限幅保护电路,其特征在于,包括感性负载L1、场效应管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、稳压管ZD1和电容C1;所述的感性负载L1的第一端连接电源BAT+,感性负载L1第二端连接场效应管Q1的漏极D、第一电阻R1及电容C1的第一端, 所述的第一电阻R1的第二端连接稳压管ZD1的负极和第二电阻R2的第一端,所述的第二电阻R2的第二端和电容C1的第二端均接电源的负极GND, 所述的稳压管ZD1的正极和第三电阻R3的第一端均连接到场效应管Q1的栅极G即驱动信号的输...
【专利技术属性】
技术研发人员:王启顺,
申请(专利权)人:湖北三环汽车电器有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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