反向导通半导体装置制造方法及图纸

提供一种反向导通半导体装置（２００），它包括共同晶圆（１００）上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，晶圆（１００）的一部分形成具有基层厚度（１０２）的基层（１０１）。绝缘栅双极晶体管包括集电极侧（１０３）和发射极侧（１０４），而集电极侧（１０３）设置成与晶圆（１００）的发射极侧（１０４）相对。第一导电类型的第一层（１）和第二导电类型的第二层（２）交替设置在集电极侧（１０３）上。第一层（１）包括具有第一区宽度（１１）的至少一个第一区（１０）以及具有第一引导区宽度（１３）的至少一个第一引导区（１２）。第二层（２）包括具有第二区宽度（２１）的至少一个第二区（２０）以及具有第二引导区宽度（２３）的至少一个第二引导区（２２）。ＲＣ－ＩＧＢＴ按照满足如下几何规则的方式来设计：每个第二区宽度（２１）等于或大于基层厚度（１０２），而每个第一区宽度（１１）小于基层厚度（１０２）。每个第二引导区宽度（２３）大于每个第一引导区宽度（１３）。每个第一引导区宽度等于或大于基层厚度（１０２）的两倍，并且第二引导区（２２）的面积之和大于第一引导区（１２）的面积之和。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率电子器件的领域，更具体来说，涉及如权利要求1的前序部分所述的反向导通半导体装置以及如权利要求13所述的具有这种反向导通半导体装置的转换ο
技术介绍
在US 2008/0135871 Al中，描述如图1所示的反向导通半导体装置200'(反向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT))，它在一个晶圆100中包括具有内置续流二极管的绝缘栅双极晶体管。如图1所示，这种反向导通半导体装置200’包括η型基层101，它具有作为集成IGBT的发射极侧104的第一主侧以及作为IGBT的集电极侧103并且与发射极侧104 相对的第二主侧。第四P型层4设置在发射极侧104上。在第四层4上，设置具有比基层 101更高掺杂的第三η型层3。第六电绝缘层6设置在发射极侧104上，覆盖第四层4和基层101，并且部分覆盖第三层3。导电第五层5完全嵌入第六层6中。在第四层4的中心部分之上，没有设置第三或第六层3、6。在第四层4的这个中心部分上，设置第一电接触8，它还覆盖第六层6。第一电接触8与第三层3和第四层4直接电接触，但是与第五层5电绝缘。在第二主侧，作为缓冲层所形成的第七层7设置在基层101上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种反向导通半导体装置（２００），包括共同晶圆（１００）上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，在成品反向导通半导体装置（２００）中具有未修正掺杂的所述晶圆（１００）的部分形成基层（１０１），其中所述绝缘栅双极晶体管包括集电极侧（１０３）和发射极侧（１０４），并且所述集电极侧（１０３）设置成与所述晶圆（１００）的所述发射极侧（１０４）相对，其中所述基层（１０１）具有基层厚度（１０２），它定义为所述基层（１０１）在所述集电极侧（１０３）与所述发射极侧（１０４）之间具有的最大厚度，第一导电类型的第一层（１）和第二导电类型的第二层（２）交替设置在所述集电极侧（１０３）上，其特征在于所述第一层（１）包括...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·科普塔，
申请(专利权)人：ABB技术有限公司，
类型：发明
国别省市：CH