具有沟槽场板的高压双极型晶体管制造技术

本发明专利技术涉及具有沟槽场板的高压双极型晶体管。一种双极型晶体管结构包括：半导体衬底上的外延层；在外延层中形成的双极型晶体管器件；以及在外延层中形成的沟槽结构，与双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻。该沟槽结构包括通过绝缘材料而与外延层隔开的场板。该双极型晶体管结构进一步包括：基极触点，连接到双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及在发射极触点和场板之间的电气连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有沟槽场板(trench field plate)的高压双极型晶体管。
技术介绍
诸如VDMOS (垂直扩散金属氧化物半导体)晶体管的功率MOS (金属-氧化物-半导体)器件的击穿电压可以根据用于制造器件的技术而从约30V变化至数百伏(例如，100V 至200V)。对于击穿电压以上的漏极电压，非常大量的电流在DMOS器件中流动。该条件典型地被称为雪崩击穿。雪崩击穿在不被减弱的情况下损坏功率DMOS器件。对于双极型晶体管，对于具有浮动基极的双极型器件，最大工作电压典型地限于集电极-基极二极管击穿电压(Vcbo)以下的且集电极-发射极击穿电压(Vceo)以上的值。 当双极型器件处于Vceo和Vcbo之间的有源(active)工作时，可能出现器件不稳定性。当 Vce上升到特定的临界电压以上时，双极型器件进入高电流状态。高电流状态由器件的基极-集电极空间电荷区中生成的碰撞离子化电流的双极型放大驱动。在一些情况中，双极型器件可能进入横向不稳定性或收缩(pinch-in)不稳定性，其中电流流动收缩到离基极触点最远的点处的非常窄的沟道中。双极型器件可能进入垂直不稳定性或等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双极型晶体管结构，包括：半导体衬底上的外延层；在所述外延层中形成的双极型晶体管器件；在所述外延层中形成的沟槽结构，与所述双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻，所述沟槽结构包括通过绝缘材料而与所述外延层隔开的场板；基极触点，连接到所述双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到所述双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及所述发射极触点和所述场板之间的电气连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C卡道，N克里施克，T迈尔，
申请(专利权)人：C卡道，N克里施克，T迈尔，
类型：发明
国别省市：AT