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本发明涉及具有沟槽场板的高压双极型晶体管。一种双极型晶体管结构包括：半导体衬底上的外延层；在外延层中形成的双极型晶体管器件；以及在外延层中形成的沟槽结构，与双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻。该沟槽结构包括通过绝缘材料而与外延层隔...
该专利属于C.卡道;N.克里施克;T.迈尔所有，仅供学习研究参考，未经过C.卡道;N.克里施克;T.迈尔授权不得商用。

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