反向导通半导体器件制造技术

提供具有电有源区的反向导通半导体器件（２００），其包括在共有晶圆（１００）上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管。该晶圆（１００）的一部分形成具有基极层厚度（１０２）的基极层（１０１）。具有至少一个第一区（１０）的第一导电类型的第一层（１）和具有至少一个第二和第三区（２０、２２）的第二导电类型的第二层（２）交替设置在所述集电极侧（１０３）上。每个区具有被区边界环绕的具有区宽度（１１、２１、２３）的区区域。该ＲＣ－ＩＧＢＴ采用这样的方式设计使得满足一定几何规则。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率电子设备的领域，并且更加具体地涉及根据权利要求1的引言的 反向导通半导体器件(reverse-conductingsemiconductor device) 0
技术介绍
在US2008/0135871A1中描述了如在图1中示出的反向导通半导体器件200，(反 向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT))，其在一片晶圆(wafer) 100内包括具有内建续流二 极管(freewheeling diode)的绝缘栅双极晶体管。如在图1中示出，这样的反向导通半导 体器件200’包括n型基极层101，其具有是集成IGBT的发射极侧104的第一主侧和是IGBT 的集电极侧103并且位于发射极侧104相对侧的第二主侧。第四p型层4设置在发射极侧 104上。在第四层4上，设置具有比基极层101更高掺杂的第三n型层3。第六电绝缘层6设置在发射极侧104上并且覆盖第四层4和基极层101并且部分 覆盖第三层3。导电第五层5完全嵌入第六层6中。在第四层4的中心部分上方没有设置 第三或第六层3、6。在该第四层4的中心部分上，设置第一电接触8，其还覆盖第六层6。第一电接触 8与第三层3和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反向导通半导体器件（２００），其包括在共有的晶圆（１００）上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，该晶圆（１００）的一部分形成具有第一掺杂浓度和基极层厚度（１０２）的第一导电类型的基极层（１０１），其中所述绝缘栅双极晶体管包括集电极侧（１０３）和在所述晶圆（１００）的所述集电极侧（１０３）的相对侧的发射极侧（１０４），其中所述基极层厚度（１０２）是具有所述第一掺杂浓度的所述晶圆的那部分的集电极侧和发射极侧（１０３、１０４）之间的最大垂直距离，第一导电类型的和比第一掺杂浓度更高的掺杂浓度的第一层（１）与第二导电类型的第二层（２）交替设置在所述集电极侧（１０３）上，其中第一导电类型的第三层（３）、第...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：L斯托拉斯塔，M拉希莫，C冯阿尔克斯，A科普塔，R施内尔，
申请(专利权)人：ABB技术有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]