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反向导通半导体器件制造技术
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文档序号:3997079
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提供具有电有源区的反向导通半导体器件(200),其包括在共有晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管。该晶圆(100)的一部分形成具有基极层厚度(102)的基极层(101)。具有至少一个第一区(10)的第一导电类型的第一层(1)和具有...
该专利属于ABB技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ABB技术有限公司授权不得商用。
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