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本发明提供一种PN结电容小的保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置。保护二极管具备：半导体基板，其具备第1区域、包围该第1区域的第2区域和包围该第2区域的第3区域；第1绝缘层，其设置在该第2区域与该第3区域之间；第1导电型半导体，其设置...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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