高结温大功率二极管制造技术

技术编号:8233881 阅读:165 留言:0更新日期:2013-01-18 17:58
本实用新型专利技术属于二极管领域,特别涉及一种高结温大功率二极管。高结温大功率二极管,其包括晶粒,所述的晶粒的窗口面朝上,其特征在于:所述的晶粒的上端面设置有上大台面,上大台面上连接有上引线,所述的晶粒的下端面设置有下大台面,所述的下大台面的下表面连接有下引线,所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。本实用新型专利技术对二极管的上大台面的结构进行了改进,使在组装时上大台面的下表面不与玻璃封装面接触,防止玻璃封装面的破损,提高了产品的良率,降低了生产成本。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于二极管领域,特别涉及一种高结温大功率二极管
技术介绍
传统的高结温大功率二极管的上下大台面的结构相同,由于晶粒的上表面的外周设置有玻璃封装面,由于上大台面的下端面为平面,直接压附在玻璃封装面上,在组装时,由于采用机械化作业,压力直接作用在玻璃封装面上,容易造成玻璃封装面的破损,造成产品的不良率的提高,增加了公司的生产成本。
技术实现思路
针对上述技术问题,本技术对二极管的上大台面的结构进行了改进,使在组·装时上大台面的下表面不与玻璃封装面接触,防止玻璃封装面的破损,提高了产品的良率,降低了生产成本。本技术通过以下技术方案实现高结温大功率二极管,其包括晶粒,所述的晶粒的窗口面朝上,其特征在于所述的晶粒的上端面设置有上大台面,上大台面上连接有上引线,所述的晶粒的下端面设置有下大台面,所述的下大台面的下表面连接有下引线,所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。所述的凸台面呈圆锥台状。综上所述,本技术通过对二极管的上大台面的结构进行改进,避免组装时上大台面的下表面直接压附在芯片的玻璃封装面上,防止了直接压附造成的玻璃封装面的破损,提高了产品的良率,降低了生产成本。附图说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
高结温大功率二极管,其包括晶粒,所述的晶粒的窗口面朝上,其特征在于:所述的晶粒的上端面设置有上大台面,上大台面上连接有上引线,所述的晶粒的下端面设置有下大台面,所述的下大台面的下表面连接有下引线,所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨吉明
申请(专利权)人:常州佳讯光电产业发展有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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