一种并联结构大功率肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种并联结构大功率肖特基二极管，包括壳体以及封装在壳体内的芯片组，所述壳体的两端分别设有与芯片组相连的引线，所述芯片组包括至少两个沿引线的长度方向排列设置且通过引线相互并联的肖特基芯片。本实用新型专利技术通过将至少两个肖特基芯片并联封装在壳体内，等效为更大面积的芯片，从而获得低成本且性能优异的二极管，同时肖特基芯片沿引线的长度方向排列设置，同时减小了封装体积，进而扩大了电路应用场合。进而扩大了电路应用场合。进而扩大了电路应用场合。

【技术实现步骤摘要】
一种并联结构大功率肖特基二极管


[0001]本技术涉及二极管
，尤其涉及一种并联结构大功率肖特基二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
[0003]众所周知，芯片越大，其成品率越低，超过150MIL的芯片，成本将大大上升，因此，在如何提高芯片大小的同时降低制造成本是业内一直关注的改进方向。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是针对现有技术的不足之处而提出一种并联结构大功率肖特基二极管，在获得大芯片的同时能够有效降低成本，同时减小封装体积，进而扩大了电路应用场合。
[0005]实现本技术目的技术方案是：
[0006]一种并联结构大功率肖特基二极管，包括壳体以及封装在壳体内的芯片组，所述壳体的两端分别设有与芯片组相连的引线，所述芯片组包括至少两个沿引线的长度方向排列设置且通过引线相互并联的肖特基芯片。
[0007]进一步地，所述引线包括一体成型的延长段和连接部，且两根引线的连接部上下正对分布，所述肖特基芯片位于两个连接部之间且上下表面分别通过焊接与两个连接部固定相连。
[0008]进一步地，所述肖特基芯片的厚度为D1，所述延长段的厚度为D2，所述连接部的厚度为D3且满足2D3+D1＝D2。
[0009]进一步地，所述连接部包括底板以及与底板一体成型的多个间隔分布且与肖特基芯片相对应的凸台。
[0010]进一步地，所述肖特基芯片为SiC芯片。
[0011]进一步地，所述壳体为环氧树脂封装壳体。
[0012]采用了上述技术方案，本技术具有以下的有益效果：
[0013](1)本技术通过将至少两个肖特基芯片并联封装在壳体内，等效为更大面积的芯片，从而获得低成本且性能优异的二极管，同时肖特基芯片沿引线的长度方向排列设置，同时减小了封装体积，进而扩大了电路应用场合。
[0014](2)本技术引线设有连接部，且两个引线的连接部上下对齐，通过焊接方式与肖特基芯片直接连接，无需增加额外的连接线，结构更加简洁可靠，同时，节约空间，进一步减小封装体积。
[0015](3)本技术通过限定肖特基芯片以及引线的尺寸，使得焊接后肖特基芯片嵌入两根引线中间，形成一个扁平状整体，对芯片起到保护作用的同时减小封装体积。
[0016](4)本技术引线的连接部设有凸台，更加便于芯片的的定位焊接。
[0017](5)本技术肖特基芯片为SiC芯片，具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性。
[0018](6)本技术的壳体为环氧树脂封装壳体，绝缘性能好且固化收缩率小，封装后不会损坏内部芯片。
附图说明
[0019]为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中：
[0020]图1为本技术的主视图；
[0021]图2为本技术的俯视图；
[0022]图3为本技术引线的结构简图。
[0023]附图中的标号为：
[0024]壳体1、芯片组2、引线3、延长段3
‑
1、连接部3
‑
2、底板3
‑2‑
1、凸台3
‑2‑
2。
具体实施方式
[0025]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0026](实施例1)
[0027]如图1至图3所示的并联结构大功率肖特基二极管，包括壳体1、芯片组2和引线3。芯片组2封装在壳体1内，包括两个规格相同的横截面为圆形的肖特基芯片，并且两个肖特基芯片沿横向并排分布且相互并联设置，减小封装体积，扩大了电路应用场合。引线3设有两根且分别位于壳体1的两端并与壳体1内部的芯片组2相连。本实施例的两个芯片均为130MIL，通过将其并联封装在壳体内，等效为面积约180MIL芯片，从而获得低成本且性能优异的二极管。
[0028]具体地，壳体1为环氧树脂封装壳体，绝缘性能好且固化收缩率小，封装后不会损坏内部芯片。肖特基芯片为SiC芯片，厚度为D1，具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，提高二极管整体性能。
[0029]引线3包括一体成型的延长段3
‑
1和连接部3
‑
2，延长段3
‑
1为细长带状，厚度为D2，两根引线3的连接部3
‑
2沿纵向并排分布，厚度为D3，且满足2D3+D1＝D2。连接部3
‑
2包括矩形结构的底板3
‑2‑
1以及与底板3
‑2‑
1一体成型的两个间隔分布的凸台3
‑2‑
2，其中凸台3
‑2‑
2为上小下大的锥台形状且沿横向对齐分布。两个肖特基芯片位于两个连接部3
‑
2之间且上下表面分别通过焊接方式与凸台3
‑2‑
2固定相连。该结构设计使得无需增加额外的连接线，即可实现芯片的并联，结构更加简洁可靠，同时节约空间，通过限制芯片和连接部的尺寸关系，使得焊接后的两个肖特基芯片嵌入两根引线中间，形成一个扁平状整体，对芯片起到保护作用的同时进一步减小封装体积，凸台3
‑2‑
2的设置更加便于芯片的的定位焊接。
[0030]本实施例通过将两个规格相同的肖特基芯片并联封装在壳体1内，等效为更大面
积的芯片，从而获得低成本且性能优异的大功率肖特基二极管，同时肖特基芯片沿引线3的长度方向排列设置，减小了封装体积，进而扩大了电路应用场合。
[0031]以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并联结构大功率肖特基二极管，其特征在于：包括壳体(1)以及封装在壳体(1)内的芯片组(2)，所述壳体(1)的两端分别设有与芯片组(2)相连的引线(3)，所述芯片组(2)包括至少两个沿引线(3)的长度方向排列设置且通过引线(3)相互并联的肖特基芯片。2.根据权利要求1所述的一种并联结构大功率肖特基二极管，其特征在于：所述引线(3)包括一体成型的延长段(3
‑
1)和连接部(3
‑
2)，且两根引线(3)的连接部(3
‑
2)上下正对分布，所述肖特基芯片位于两个连接部(3
‑
2)之间且上下表面分别通过焊接与两个连接部(3
‑
2)固定相连。3.根据权利要求2所述的一种并联结构大功率肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕全亚，郭建新，钱永江，李俊，庄娟梅，
申请(专利权)人：常州佳讯光电产业发展有限公司，
类型：新型
国别省市：