本发明专利技术公开了一种测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块，所述无极性模块的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块，所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块；所述隔离测试模块设有测试接口，所述隔离测试模块的两端分别接测试接口和电容测试仪器。本发明专利技术通过设置隔离限流泄放模块保护被测元件及电容测试仪器，通过隔离测试模块的测试接口来连接被测元件，隔离测试模块还可以保护电容测试仪器不被直流高压损坏，提高电容测试的精度及可靠性。性。性。
【技术实现步骤摘要】
一种测量SiC器件结电容的装置
[0001]本专利技术涉及半导体器件测试
，尤其涉及一种测量SiC器件结电容的装置。
技术介绍
[0002]SiC(SiliconCarbide，碳化硅)材料由于禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大等优越性能，使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。此外，SiC电力电子器件在阻断性能、开关速度、高温特性等方面与传统Si器件相比具有很大优势，逐渐的广泛使用。
[0003]SiC器件作为第三代宽禁带半导体，相比传统Si基器件，耐压更高，工作频率也将提高。高频高压的工作环境对器件结电容有较高敏感性，由于电容通交隔直的特性，虽然器件结电容很小，但在高频电路设计时仍需要考虑器件结电容对电路的影响，因此急需拥有测试SiC器件结电容的技术手段。
[0004]传统的电容测试仪器只能测试无源器件电容，而SiC器件通常为有源型器件，由于SiC有源器件所接电源电压高低会改变器件结电容的大小，另外SiC器件供电电源可能会损坏测试仪器，或影响测试结果的准确性。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是针对现有技术的不足之处而提出一种测量SiC器件结电容的装置，能够有效保护被测元件和测试仪器，提高测试结果的准确性。
[0006]实现本专利技术目的技术方案是：
[0007]一种测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块，所述无极性模块的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块，所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块；所述隔离测试模块设有测试接口，所述隔离测试模块的两端分别接测试接口和电容测试仪器。
[0008]进一步地，所述隔离限流泄放模块包括两端分别接无极性模块的电阻R3，所述电阻R3的一端依次串联有电感L1和电阻R1，所述电感L1上并联有电容C1；所述电阻R3的另一端依次串联有电感L2和电阻R2，所述电感L2上并联有电容C2，所述电阻R1和电阻R2的另一端分别接测试接口的两端。
[0009]进一步地，所述隔离测试模块包括两个分别串联在测试接口的两端和电容测试仪器两端的仪器保护模块，所述仪器保护模块包括并联设置的第一电容和第二电容，所述第一电容的电容值大于第二电容的电容值。
[0010]进一步地，所述无极性模块(4)包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电子滤波电容C7、电阻R4、三极管Q1、三极管Q2、恒流二极管、双向精密稳压二极管和可调电阻R5，所述二极管D1的正极、二极管D2的负极均接外部电源的一个输出端，二极管D3的负极和二极管D4的正极均接外部电源的另一个输出端；所述二极管D2和二极管D3的正极均同时接电子滤波电容C7、双向稳压二极管和可调电阻R5；所述二极管D1和二极管D4的负极均同时
接电阻R4和三极管Q1的C极，所述电阻R4的另一端和电子滤波电容C7的另一端以及三极管Q2的C极均接三极管Q1的B极；所述双向稳压二极管的另一端和恒流二极管的正极均接三极管Q2的E极；所述三极管Q2的B极接可调电阻R5的滑臂；所述可调电阻R5的另一端和恒流二极管的负极均接三极管Q1的E极。
[0011]采用了上述技术方案，本专利技术具有以下的有益效果：
[0012](1)本专利技术通过设置隔离限流泄放模块，在保护被测元件和电容测试仪器的同时提高测试精度，通过测试接口连接被测元件，并设有隔离测试模块，防止支流电压施加到电容测试仪器，提高测试精度的同时保护电容测试仪器不被直流高压损坏，从而提高电容测试的可靠性与精度。
[0013](2)本专利技术通过将电容C1、电感L1与电容C2、电感L2分别并联，使其工作在并联谐振状态，结合电阻R1、电阻R2产生很大阻抗，从而隔离电容测试仪器的高频信号，提高测试精度；通过设置电阻R3，防止有源被测器件两端的电容电压因所接电源的尖峰干扰电压不断升高，提高测试精度的同时保护测试仪器。
[0014](3)本专利技术通过并联设置两个电容形成仪器保护模块，电路简洁，其中一个电容容量大，一个电容容量小，从而将隔离限流泄放模块传输来的直流电压与电容测试仪器隔离，保护仪器不被直流高压损坏，同时小容量电容不会影响电容测试仪器的高频信号通过，使得电容测试仪器能够正常测量使用；仪器保护模块与被测器件等效电容串联起到提高测试精度的作用。
[0015](4)本专利技术通过在隔离限流泄放模块的输入端增设无极性模块，电路设计简洁，电源转换可靠稳定，对于外部电源为可调电压源交流或直流的情况下都同样适用，自动判别转换输入端电源，输入端可以是正、负直流电或交流电，增大本装置的适用范围并起到防反保护的作用，可调电源是为了满足不同电压下的测试需求，因不同电压下被测器件等效电容容量会发生改变。
附图说明
[0016]为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中：
[0017]图1为本专利技术的电路图。
[0018]附图中的标号为：
[0019]无极性模块1、隔离限流泄放模块2、隔离测试模块3、测试接口4。
具体实施方式
[0020]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0021](实施例1)
[0022]如图1所示的测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块1、隔离限流泄放模块2和隔离测试模块3，其中无极性模块1的输入端外部电源，输出端接隔离限流泄放模块2，隔离限流泄放模块2的输出端接隔离测试模块3，隔离测试模块3设有测试接口4，用于连接被测元件，隔离测试模块3同时接电容测试仪器，电容测试仪器用于测量被测元件。通过设置
隔离限流泄放模块2，在保护被测元件和电容测试仪器的同时提高测试精度，隔离测试模块，防止支流电压施加到电容测试仪器，提高测试精度的同时保护电容测试仪器不被直流高压损坏，从而提高电容测试的可靠性与精度。
[0023]具体地，无极性模块1包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电子滤波电容C7、电阻R4、三极管Q1、三极管Q2、恒流二极管、双向稳压二极管和可调电阻R5。电容电阻电感均可用一个或多个元件串联或并联通过计算等效而成。隔离限流泄放模块2包括电阻R3、电感L1、电阻R1、电容C1、电感L2、电阻R2、电容C2。隔离测试模块3包括电容C3、电容C4、电容C5和电容C6，其中电容C3和电容C4并联设置，形成其中一个仪器保护模块，电容C5和电容C6并联设置，形成另一个仪器保护模块。通过在隔离限流泄放模块2的输入端设置无极性模块1，对于外部电源为可调电压源交流或直流的情况下都同样适用，自动判别转换输入端电源，输入端可以是正、负直流电或交流电，增大本装置的适用范围并起到防反保护的作用，可调电源是为了满足不同电压下的测试需求，因不同电压下被测器件等效电容容量会发生改变。
[0024]二极管D1的正极、二极管D2的负极均接外部电源的一个输出端，二极管D3的负极和二极本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测量SiC器件结电容的装置，其特征在于：包括无极性模块(1)、隔离限流泄放模块(2)和隔离测试模块(3)，所述无极性模块(1)的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块(2)，所述隔离限流泄放模块(2)的输出端接隔离测试模块(3)；所述隔离测试模块(3)设有测试接口(4)，所述隔离测试模块(3)的两端分别接测试接口(4)和电容测试仪器。2.根据权利要求1所述的一种测量SiC器件结电容的装置，其特征在于：所述隔离限流泄放模块(2)包括两端分别接无极性模块(1)的电阻R3，所述电阻R3的一端依次串联有电感L1和电阻R1，所述电感L1上并联有电容C1；所述电阻R3的另一端依次串联有电感L2和电阻R2，所述电感L2上并联有电容C2，所述电阻R1和电阻R2的另一端分别接测试接口(4)的两端。3.根据权利要求1或2所述的一种测量SiC器件结电容的装置，其特征在于：所述隔离测试模块(3)包括两个分别串联在测试接口(4)的两端和电容测试仪器两端的仪器保护模块，所述仪器保...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕全亚，郭建新，钱永江，李俊，庄娟梅，
申请(专利权)人：常州佳讯光电产业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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