一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极，第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域；基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管；热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。该内驱动保护装置通过对碳化硅MOSFET进行栅驱动电压限制和热量限制，有效解决栅驱动电压被击穿和电路热量平衡问题，提高电力电子变换器的可靠性；该碳化硅MOSFET不需要引入外置保护电路，结构简单，装配简便。装配简便。装配简便。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置


[0001]本专利技术属于碳化硅
，具体涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置。

技术介绍

[0002]在电力电子变换技术中，高频化、小型化和高可靠性是主要发展方向。目前，碳化硅是目前发展较为成熟的一种半导体材料，与普通硅的元器件相比，具有高耐压性，在开关电源、高频桥路推挽以及整流器上应用广泛。其中碳化硅MOS FET作为新型功率器件，具有耐压高、工作温度高、高频开关速度及体二极管反向恢复时间短、寄生电容小等特点，因此采用碳化硅MOSFET可以显著提高电力电子变换器的功率密度。
[0003]碳化硅MOSFET与硅MOSFET由于材料、结构等方面的不同，导致两者在器件特性上存在一些差异。硅MOSFET的驱动电路在使用时注重一致性，目前硅MOSFET的驱动电压范围为
‑
30V～+30V，而碳化硅MOSFET的驱动电压范围为
‑
8V～+20V，建议驱动电压为
‑
4V～+20V，因此碳化硅MOSFET与现有的硅MOSFET相比，安全阈值小，驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，其特征在于：包括主芯片、基板，所述主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，所述金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；所述金属板外表面设有封装壳体；所述主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，所述第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极，所述第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域；所述基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管；限流电阻第一点位与栅极电连接，限流电阻第二点位与热敏电阻第二点位电电连接，热敏电阻第二点位电还与稳压管第二点位电连接，热敏电阻第一点位与稳压管第一点位电连接，所述源极与热敏电阻第一点...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕全亚，周俏燕，庄娟梅，陈丽娜，
申请(专利权)人：常州佳讯光电产业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：