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本发明涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，...
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