导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本实用新型专利技术利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子器件制造
，具体涉及一种导电结构及其制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管阵列基板可以用于液晶显示器和有机发光显示器中。其中，液晶显示器通常包括薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光膜基板，以及设置在两个基板之间的液晶 层。当两个基板之间加入电场时，液晶分子排列发生改变，从而可以改变光线的透射比。有机发光显示器则通过使用有机场致发光材料来显示图像。有机发光显示器的像素通常包括向有机场致发光材料提供电流的驱动薄膜晶体管和控制驱动薄膜晶体管开启或关闭的开关薄膜晶体管。随着显示器件尺寸的增大以及显示性能要求的提高，要求栅极线和数据线具有更低的电阻。目前主流的铝配线由于电阻系数较高，已经不能满足显示性能的要求。而铜的电阻系数比铝的电阻系数低的多，因此，使用铜作为栅极线和数据线将成为今后的主流选择。然而，铜离子具有较强的渗透性，很容易扩散到非晶硅或硅层中，另外在对金属导电层进行刻蚀或在剥离光刻胶过程中产生的铜离子，也可能渗入到非晶硅层，从而影响非晶硅层(如薄膜晶体管)的性能。此外，硅离子和其他金属离子也容易扩散到铜导电结构内，从而使铜导电结构的电阻系数增大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电结构，其特征在于，包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在纹，黄秋平，林盛实，金童燮，徐朝焕，徐华伟，陈正伟，薛建设，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：