薄膜晶体管基板、具有它的液晶显示装置和薄膜晶体管基板的制造方法制造方法及图纸

利用将钛层、氮化钼层、铝层和氮化钼层按该顺序叠层而成的叠层体构成源极电极和漏极电极，由干蚀刻形成钛层，氧化物半导体层是在形成源极电极和漏极电极之后在含氧的气氛中进行退火处理而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下称为TFT)基板、具有它的液晶显示装置和TFT基板的制造方法，特别涉及具备使用具有氧化物半导体的半导体层的TFT的TFT基板、液晶显示装置和TFT基板的制造方法。
技术介绍
近年来，在构成液晶显示装置的TFT基板中，作为图像的最小单位即各像素的开关元件，代替使用具有非结晶硅的半导体层的现有的TFT，提出了使用具有氧化物半导体的半导体层(以下称为氧化物半导体层)，具有高迁移率、高可靠性和低断开电流等良好特性的 TFT。一般的底栅构造的TFT例如包括设置在玻璃基板上的栅极电极；以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与栅极电极重叠的方式设置的半导体层；和以与该半导体层相互离开并重叠的方式设置在栅极绝缘膜上的源极电极和漏极电极，在这些源极电极与漏极电极之间露出的半导体层部分构成沟道区域。此处，在源极电极和漏极电极，从尽可能达到低电阻化和防止半导体层和像素电极相互导致特性变化的观点出发，例如优选采用钛层、铝层和钛层的叠层构造(Ti/Al/Ti)。作为上述底栅构造的TFT，已知沟道蚀刻型的TFT。该沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：