一种塑封大功率二极管器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种塑封大功率二极管器件，涉及半导体电子元器件制造技术领域，包括塑封体、芯片载台、芯片，所述芯片设置在芯片载台上表面，所述芯片载台下侧设有突出于芯片载台的中间引脚，所述中间引脚的端部为圆弧形，所述中间引脚的两侧各设有一个与中间引脚平行的边侧引脚；所述芯片载台、芯片、中间引脚被塑封体封装在内部。本实用新型专利技术提供的一种塑封大功率二极管器件将中间引脚塑封在塑封体内部，且将中间引脚的端部设置为圆弧形，避免了器件在高压测试时的打火，提高了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体电子元器件制造
，具体涉及一种塑封大功率二极管器件。
技术介绍
信息产业的飞速发展为电子元器件行业带来机遇。人们开始越来越关注小元器件的发展，新型电子元器件体现了当代和今后电子元器件向高频化、片式化、微型化、薄型化、低功耗、响应速率快、高分辨率、高精度、高功率、多功能、组件化、复合化、模块化和智能化等的发展趋势。同时，产品的安全性和绿色化也是影响其发展前途和市场的重要因素。为适应电子整机普及和规模生产、电子元器件的生产规模将以年产百亿计。制作工艺精密化、流程自动化，生产环境也要求越来越高，投资力度越来越大。还要加上产品的一致性、稳定性、精度和成本因素，才能确立企业在国际上的竞争实力、市场定位及其发展前景。半导体在我们实际生活中应用极其广泛，在消费类和工业级产品均大量使用。常规大功率的半导体器件通常分为D0-201AD圆柱形系列和T0-220等TO系列封装形式。通常DO系列做小功率芯片，T0220系列以共阴的2只二极管为主，TO系列产品均是3只脚，T0220F的为全包封的功率器件产品。传统的塑封二极管器件的中间引脚会露出塑封体，且端面是矩形，这种结构形式会导致器件在高压测试的时候打火，影响电源或中断产品的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种塑封大功率二极管器件，塑封体将中间引脚控制在塑封体内，同时中间引脚的端部设置为圆弧形，以解决器件在高压测试时打火现象。为实现本技术的目的采用的技术方案为:一种塑封大功率二极管器件，其特征在于，包括塑封体、芯片载台、芯片，所述芯片设置在芯片载台上表面，所述芯片载台下侧设有突出于芯片载台的中间引脚，所述中间引脚的端部为圆弧形，所述中间引脚的两侧各设有一个与中间引脚平行的边侧引脚;所述芯片载台、芯片、中间引脚被塑封体封装在内部。进一步地，所述边侧引脚的根部设有焊台，所述焊台上设有开孔。进一步地，所述边侧引脚上设有隔溢槽，所述隔溢槽的截面形状为“W”型。本技术的有益效果:本技术提供的塑封大功率二极管器件达到了以下有益效果:将常规的3只脚的中间引脚控制在塑封体内，同时将中间引脚的切断边沿部分做成弧形，防止在中间引脚上产生电荷集中，避免器件高压测试时打火，提高电源或终端产品可靠性。将单芯片封装在T0220F中，将载片面积提高，扩大了载片面积，提高了器件的功率。边侧引脚的焊台上开孔，让塑封料贯穿引脚脚与塑封本体相连，提高产品的强度和机械可靠性。边侧引脚的“W”型隔溢槽可以有效杜绝封装过程中液体的渗透，提高了器件的气密性;同时提高了包封成型工序环氧树脂与引线框架的附着力，提高产品的机械强度。【附图说明】图1是本技术提供的塑封大功率二极管器件的结构示意图。【具体实施方式】下面通过具体的实施例并结合附图对本技术做进一步的详细描述。图1示出了本技术提供的塑封大功率二极管器件，包括塑封体1、芯片载台2、芯片5，芯片5设置在芯片载台2上表面，芯片载台2下侧设有突出于芯片载台2的中间引脚6，中间引脚6的端部为圆弧形，在产品使用过程中，中间引脚6的端部没有尖锐的直角，避免了电荷在中间引脚6上形成电荷集中而产生尖端放电；中间引脚6的两侧各设有一个与中间引脚6平行的边侧引脚8;芯片载台2、芯片5、中间引脚6被塑封体I封装在内部。进一步地，边侧引脚8的根部设有焊台7，焊台7上设有开孔3;芯片5与边侧引脚8上的焊台7通过焊线9连接，焊线9有两根，另外一根连接芯片载台2与另一只边侧引脚8，两只边侧引脚构成二极管器件的正负极;焊台7在边侧引脚8的根部，即焊台7位于边侧引脚8上靠近芯片载台2的位置。进一步地，边侧引脚8上设有隔溢槽4，隔溢槽4的截面形状为“W”型，即隔溢槽4是由两个“V”型并排构成，有效杜绝了封装成型后的器件后期加工和装配过程中的液体的渗透，提高了器件的气密性;同时提高了包封成型工序环氧树脂与引线框架的附着力，提高产品的机械强度。本实施例中，塑封体I将整个芯片载台2、芯片5以及中间引脚6都封装在内部，也就是说，整个塑封大功率二极管器件只有两只侧边引脚8伸出塑封体I，这样将中间引脚6控制在塑封体I内，同时将中间引脚6的端部做成弧形，可以避免器件高压测试时打火，提高电源或终端产品可靠性。以上所述仅为本技术的较优实施例，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种塑封大功率二极管器件，其特征在于，包括塑封体、芯片载台、芯片，所述芯片设置在芯片载台上表面，所述芯片载台下侧设有突出于芯片载台的中间引脚，所述中间引脚的端部为圆弧形，所述中间引脚的两侧各设有一个与中间引脚平行的边侧引脚;所述芯片载台、芯片、中间引脚被塑封体封装在内部。2.根据权利要求1所述的塑封大功率二极管器件，其特征在于，所述边侧引脚的根部设有焊台，所述焊台上设有开孔。3.根据权利要求1所述的塑封大功率二极管器件，其特征在于，所述边侧引脚上设有隔溢槽，所述隔溢槽的截面形状为“W”型。【专利摘要】本技术公开了一种塑封大功率二极管器件，涉及半导体电子元器件制造
，包括塑封体、芯片载台、芯片，所述芯片设置在芯片载台上表面，所述芯片载台下侧设有突出于芯片载台的中间引脚，所述中间引脚的端部为圆弧形，所述中间引脚的两侧各设有一个与中间引脚平行的边侧引脚；所述芯片载台、芯片、中间引脚被塑封体封装在内部。本技术提供的一种塑封大功率二极管器件将中间引脚塑封在塑封体内部，且将中间引脚的端部设置为圆弧形，避免了器件在高压测试时的打火，提高了产品的可靠性。【IPC分类】H01L23/48, H01L23/31, H01L29/861【公开号】CN205248283【申请号】CN201521125618【专利技术人】李科, 蔡少峰 【申请人】四川立泰电子有限公司【公开日】2016年5月18日【申请日】2015年12月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种塑封大功率二极管器件，其特征在于，包括塑封体、芯片载台、芯片，所述芯片设置在芯片载台上表面，所述芯片载台下侧设有突出于芯片载台的中间引脚，所述中间引脚的端部为圆弧形，所述中间引脚的两侧各设有一个与中间引脚平行的边侧引脚；所述芯片载台、芯片、中间引脚被塑封体封装在内部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李科，蔡少峰，
申请(专利权)人：四川立泰电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51