一种硅塑封小功率稳压二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件，尤其是一种硅塑封小功率稳压二极管。一种硅塑封小功率稳压二极管，包括二极管本体、封装外壳和引脚，所述的二极管本体位于封装外壳内，所述的引脚位于封装外壳外，所述的封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层。本实用新型专利技术结构简单，二极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层，在更换硅塑封稳压小功率二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封稳压小功率二极管的损坏。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，尤其是一种硅塑封小功率稳压ニ极管。
技术介绍
稳压管也是ー种晶体ニ极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来エ作的。稳压管在稳压设备和ー些电子电路中获得广泛的应用。把这种类型的ニ极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的ニ极管。稳压ニ极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。由于小功率稳压ニ极管体积小，所以在管子上标注型号较困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是基于上述问题，提供一种可以清楚显示出标称稳定电压值的硅塑封小功率稳压ニ极管。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅塑封小功率稳压ニ极管，包括ニ极管本体、封装外壳和引脚，所述的ニ极管本体位于封装外壳内，所述的引脚位于封装外壳外，所述的封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体标称稳定电压值的色环涂层。考虑到产品的可观性，所述的封装外壳为圆柱体结构。本技术的有益效果是本技术结构简单，ニ极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响，封装外壳上涂覆有ー层可以清楚显示出ニ极管本体稳定电压值的色环涂层，在更换硅塑封小功率稳压ニ极管时，就不会出现错将工作參数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封小功率稳压ニ极管的损坏。以下结合附图和实施例对本技术进ー步说明。图I是本技术的结构示意图。图中1. ニ极管本体，2.封装外売，3.引脚，4.色环涂层。具体实施方式现在结合附图对本技术作进ー步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图I所示的一种硅塑封小功率稳压ニ极管，包括ニ极管本体I、封装外壳2和引脚3, ニ极管本体I位于封装外壳2内，引脚3位于封装外壳2外,封装外壳2上涂覆有ー层可以清楚显示出ニ极管本体I标称稳定电压值的色环涂层4。考虑到产品的可观性，封装外壳2为圆柱体结构。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多祥的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。权利要求1.ー种娃塑封小功率稳压ニ极管，其特征在于包括ニ极管本体(I)、封装外壳(2)和引脚(3)，所述的ニ极管本体(I)位于封装外壳(2)内，所述的引脚(3)位于封装外壳(2)夕卜，所述的封装外壳⑵上涂覆有一层可以清楚显示出ニ极管本体⑴标称稳定电压值的色环涂层⑷。2.根据权利要求I所述的ー种硅塑封小功率稳压ニ极管，其特征在于所述的封装外壳(2)为圆柱体结构。专利摘要本技术涉及半导体器件，尤其是一种硅塑封小功率稳压二极管。一种硅塑封小功率稳压二极管，包括二极管本体、封装外壳和引脚，所述的二极管本体位于封装外壳内，所述的引脚位于封装外壳外，所述的封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层。本技术结构简单，二极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层，在更换硅塑封稳压小功率二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封稳压小功率二极管的损坏。文档编号H01L23/06GK202405244SQ20112054997公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月26日 优先权日2011年12月26日专利技术者孔明 申请人:常州福达电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔明，
申请(专利权)人：常州福达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：