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本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：配置于基板(1)的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层(2)、配置于半导体层(2)且具有底面及侧面的沟槽(5)、配置于沟槽(5)的底面及侧面上的绝缘区域(11)、以及配置于沟槽...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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