一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管的电学性能，提高显示装置显示图像的画质。本发明专利技术提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在显示
,平板显示装置,如液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display, 0LED),因其具有轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。尤其是大尺寸、高分辨率，以及高画质的平板显示装置，如液晶电视，在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位。目前，图像信号的延迟成为制约大尺寸、高分辨率及高画质平板显示装置的关键 因素之一。具体地，图像信号的延迟主要由基板上的栅极、栅极线，或数据线等信号电阻R和相关电容C决定。随着显示装置尺寸的不断增大，分辨率不断提高，驱动电路施加的信号频率也不断提高，图像信号的延迟越来越严重。在图像显示阶段，栅极线打开，像素充电，由于图像信号的延迟，某些像素充电不充分，导致图像显示画面的亮度不均匀，严重影响图像的显示质量。降低栅极、栅极线，数据线等的电阻可以减小图像信号的延迟，改善图像的画质。目前，降低栅极线和数据线的电阻的方法为采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，王刚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：