【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件，且特别涉及一种垂直式二极管元件与二极管阵列。
技术介绍
存储器元件的研发趋势都是往小尺寸发展。有些存储器元件可清楚分成存储器本身与选择器(selector)，而有些存储器元件则将两者合并在一起。一般而言，若两者分开，较容易最佳化存储器元件。而两者合并，则容易缩小元件尺寸。可利用二极管元件作为存储器元件的选择器。要达成最小面积，二极管元件必须 是共基极的结构，但共基极结构最大的缺点就是大的基极串联电阻。当存储器阵列太大时，基极串联电阻会产生大的电压降，可能导致阵列尾端的存储器元件因电压过低而无法工作。要克服这个问题，可减小存储器阵列的大小，但如此一来整个存储器晶片尺寸会大大的增加。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种垂直式二极管元件及此种二极管元件构成的二极管阵列，可减小基极串联电阻，其一方面可达成小的存储器元件尺寸，另一方面可保有大的存储器阵列。本专利技术提出一种垂直式二极管元件，包括具有第一导电型的基底、埋入式金属线、绝缘层、接点、具有第二导电型的第一掺杂区及具有第一导电型的第二掺杂区。埋入式金属线配置于基底中。绝缘层配置于基...
【技术保护点】
一种垂直式二极管元件，其特征在于，包括：一具有一第一导电型的一基底；一埋入式金属线，配置于该基底中；一绝缘层，配置于该基底与该埋入式金属线之间，且曝露该埋入式金属线的一侧壁的一部分；一接点，配置于该基底中，且位于该埋入式金属线的经该绝缘层曝露的该侧壁的该部分上；具有一第二导电型的一第一掺杂区，配置于该基底中且位于该埋入式金属线的一侧，其中该第一掺杂区与该接点接触，且该接点的阻值低于该第一掺杂区的阻值；以及具有该第一导电型的一第二掺杂区，配置于该第一掺杂区中，其中该第二掺杂区未与该接点接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许峻铭，张文岳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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