一种二极管选择元件阵列结构及制造方法技术

本发明专利技术公开二极管选择元件阵列结构制造方法：在P型半导体衬底上间隔形成浅隔离槽，浅隔离槽之间形成胚体柱，其中之一为P结胚体柱，其余为N结胚体柱；在浅隔离槽中填满绝缘层；在P型半导体衬底上形成N阱；在N阱上层掩埋第一P型扩散层；N结胚体柱上形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成二极管第一极；P结胚体柱上延伸形成第二P型扩散层，第二P型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与第二P型扩散层连接形成二极管第二极；N阱一侧上层形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成N阱的接触点电极。本发明专利技术工艺简单，节约制造成本；由该方法形成二极管选择元件阵列结构，品质较好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开二极管选择元件阵列结构制造方法：在P型半导体衬底上间隔形成浅隔离槽，浅隔离槽之间形成胚体柱，其中之一为P结胚体柱，其余为N结胚体柱；在浅隔离槽中填满绝缘层；在P型半导体衬底上形成N阱；在N阱上层掩埋第一P型扩散层；N结胚体柱上形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成二极管第一极；P结胚体柱上延伸形成第二P型扩散层，第二P型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与第二P型扩散层连接形成二极管第二极；N阱一侧上层形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成N阱的接触点电极。本专利技术工艺简单，节约制造成本；由该方法形成二极管选择元件阵列结构，品质较好。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，尤其是指。
技术介绍
相变随机存储器具有高读取速度、低功率、高容量、高可靠度、高写擦次数、低工作电压/电流和低成本等特性，适合与CMOS工艺结合，用来作为较高密度的独立式或嵌入式的存储器应用。相变随机存取存储器包括具有相变层的存储节点、连接到该存储节点的晶体管和与晶体管接的PN结二极管。根据施加到其上的电压，相变层从结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管选择元件阵列结构制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，在P型半导体衬底上间隔形成浅隔离槽，浅隔离槽之间形成胚体柱，其中之一为P结胚体柱，其余为N结胚体柱；步骤二，在浅隔离槽中填满绝缘层；步骤三，在P型半导体衬底上形成N阱；步骤四，在N阱上层掩埋第一P型扩散层；步骤五，在位于第一P型扩散层上层的N结胚体柱上形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成二极管第一极；在位于第一P型扩散层上层的P结胚体柱上延伸形成第二P型扩散层，第二P型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与第二P型扩散层连接形成二极管第二极；N阱一侧上层形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秋峰，王兴亚，
申请(专利权)人：厦门博佳琴电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35