The invention provides a micro light emitting diode array substrate comprises a glass substrate, a gate insulating layer, formed by the glass substrate, a semiconductor layer and a pixel electrode formed on the insulating layer, a semiconductor layer is arranged on the source electrode and the drain electrode, the drain electrode is connected with the adjacent pixel electrodes, a a layer of a first conductive layer is covered on the pixel electrode, a first conductive layer is connected with a micro light emitting diode. The invention also provides a display panel, which comprises an CF substrate and a micro LED array substrate. Compared with the prior art, by covering a layer of conductive layer between the pixel electrode and micro light emitting diode, the micro light emitting diode at the heat conducting layer can transfer to other areas, so as to improve the heat dissipation capability.
【技术实现步骤摘要】
微发光二极管阵列基板及显示面板
本专利技术涉及一种微发光二极管显示
,特别是一种微发光二极管阵列基板及显示面板。
技术介绍
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。微发光二极管(MicroLED,μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,μLED显示器和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。目前微发光二极管显示阵列示设计在驱动阵列上方的微发光二极管阵列结构,通过正负电极欲驱动阵列的导通连接,以TFT阵列控制每个像素的微发光二极管的开关和亮度,通过TFT驱动显示单元已经成为主流的电流控制技术,这种薄膜晶体管通过栅极控制,在源极/漏极之间形成电流沟道,从而使子像素存储电容被充电来保持液晶的持续式(Holdtype)显示模式;而微发光二极管阵列由于其微米尺度,当为了达到高像素数目(PPI)显示时,会导致微发光二极管的密度极高,使得其存在散热不通畅的问题。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术提供一种微发光二极管阵列基板及显示面板,从而提 ...
【技术保护点】
一种微发光二极管阵列基板,包括玻璃基板(1),其特征在于:所述玻璃基板(1)上依次形成有栅极(2)、绝缘层(3),在绝缘层(3)上形成有半导体层(4)以及像素电极(5),在半导体层(4)上设有源极(6)、漏极(7),所述漏极(7)与相邻的像素电极(5)连接,在像素电极(5)上覆盖有一层第一导电层(8),第一导电层(8)上连接有微发光二极管(9)。
【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管阵列基板,包括玻璃基板(1),其特征在于:所述玻璃基板(1)上依次形成有栅极(2)、绝缘层(3),在绝缘层(3)上形成有半导体层(4)以及像素电极(5),在半导体层(4)上设有源极(6)、漏极(7),所述漏极(7)与相邻的像素电极(5)连接,在像素电极(5)上覆盖有一层第一导电层(8),第一导电层(8)上连接有微发光二极管(9)。2.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列基板,其特征在于:所述第一导电层(8)由石墨烯材料制成。3.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列基板,其特征在于:所述第一导电层(8)由碳纳米管材料制成。4.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列基板,其特征在于:所述微发光二极管(9)的管脚处与第一导电层(8)之间设有金属凸起部(10),微发光二极管(9)的管脚经金属凸起部(10)与第一导电层(8)连接导通。5.根据权利要求4所述的微发...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈黎暄,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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