闪存装置及其编程方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种闪存装置及其编程方法。闪存装置包括存储器阵列、第一共同位线以及感测放大装置。存储器阵列包括具有多个第一存储单元的第一存储器区块。在漏电流检测操作中，感测放大装置检测第一存储单元在第一共同位线上产生的漏电流，以获得漏电流仿真信息。在编程操作中，感测放大装置根据漏电流仿真信息以提供参考电流，且对第一存储单元中的选中存储单元在第一共同位线上产生的感测电流与参考电流进行比较，以进行编程验证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器的编程方法，尤其涉及一种能够针对漏电流进行补偿的闪存装置及其编程方法。

技术介绍

1、在针对闪存(flash memory)的编程操作中，为了确保临限电压(thresholdvoltage，vt)已被编程到预定的目标电压，编程验证(program-verify，pv)是不可或缺的操作项目。在编程验证中会对选中存储单元施加读取电压，并且对所产生的胞电流进行检测。胞电流必需被判定为足够低才能通过验证。

2、除了选中存储单元的胞电流之外，在共同位线(global bit line)上还会有其他存储单元所产生的漏电流。因此，实际上在编程验证中与参考电流进行比较的是共同位线上由胞电流以及漏电流相加而成的感测电流。当感测电流不够低时就会对选中存储单元所耦接的字线再次施加编程脉冲以及进行编程验证，并且重复操作直到感测电流被判定为足够低为止。此外，对于或非型闪存(nor flash memory)来说，由于劣化的关系漏电流还会随着进行循环操作(即由编程操作及抹除操作构成的循环)的次数增加而逐渐增加，导致需要施加更多次的编程脉冲来将选中存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述感测放大装置包括：

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，所述第一感测放大器对所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流进行比较，以产生比较结果，当所述比较结果维持为第一逻辑电平时所述比例控制器调整所述设定比例，并且所述第一感测放大器及所述比例控制器重复进行所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流的比较以及所述设定比例的调整，直到所述比较结果由所述第一逻辑电平转态为第二逻辑电平为止。

4.根据权利要求3所述的闪存装置，其特征在于，当...

【技术特征摘要】

1.一种闪存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述感测放大装置包括：

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，所述第一感测放大器对所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流进行比较，以产生比较结果，当所述比较结果维持为第一逻辑电平时所述比例控制器调整所述设定比例，并且所述第一感测放大器及所述比例控制器重复进行所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流的比较以及所述设定比例的调整，直到所述比较结果由所述第一逻辑电平转态为第二逻辑电平为止。

4.根据权利要求3所述的闪存装置，其特征在于，当所述比较结果由所述第一逻辑电平转态为所述第二逻辑电平时，所述感测放大装置存储对应的所述设定比例来作为所述漏电流仿真信息。

5.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，所述参考电流由比较电流以及补偿电流相加而成，在所述编程操作中，所述感测放大装置根据所述漏电流仿真信息以提供所述补偿电流，所述补偿电流相当于与所存储的所述设定比例对应的所述复制漏电流。

6.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，与所述多个第一存储单元对应的所有字线均为禁能的状态。

7.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，在所述编程操作中，与所述选中存储单元对应的字线为致能的状态，与其余的所述多个第一存储单元对应的字线为禁能的状态。

8.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文乔，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：