一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置，属于存储器应用领域，包括：三个相同的单端口存储器和一个多输入多输出的映射逻辑电路模块，映射逻辑电路根据写端口信号产生写地址控制信息，并映射连接到所述三个单端口存储器信号端的端口上，将数据写入所述单端口存储器中的一个；映射逻辑电路根据读端口信号和存储器读/写地址起始位相差的固定值产生读地址控制信息，并映射连接到所述三个单端口存储器信号端的端口上，从单端口存储器中的另外一个读取数据，实现存储器读/写地址起始位相差固定值的处理时钟周期的功能。本发明专利技术可以减小电路的面积开销，降低电路的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器应用领域，更为具体的，涉及一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置。

技术介绍

1、在利用独特码的自相关特性进行帧同步检测和频率精估计过程中，需要使用存储器用作数据缓存来吸收突发漂移并补偿帧同步检测处理延时，存储器读和写地址起始位相差固定数目的处理时钟周期。通常情况下，使用一个双端口存储器来执行在同一时间将数据写入此存储器以及从此存储器读取数据的功能。双端口存储器具有两组相互独立的读写控制逻辑和输入输出端口，允许数据被写入到某一个存储器地址并同时从另一个存储器地址读出数据。设计者只需控制双端口存储器一个端口用于写入数据，同时控制双端口存储器另一个端口用于读出数据就可以实现存储器读/写地址起始位相差固定值的处理时钟周期。值得注意的是，双端口存储器的两个端口上读操作和写操作都是被允许的，并且双端口存储器的面积是相同容量单端口存储器面积的两倍，如此直接使用双端口存储器会浪费已有的电路功能，提高电路成本，造成较大的面积开销。但是如果直接使用单端口存储器实现相同的电路功能，在数据有效指示信号一直保持连续为有效信号的情况下，单端口存储器在一个时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，所述三个单端口存储器为三个相同的单端口存储器。

3.根据权利要求1所述的单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，在所述三个单端口存储器中，第一单端口存储器地址区间为0～N-1，第二单端口存储器地址区间为N～2*N-1，第三单端口存储器地址区间为2*N～3*N-1；其中，N为单端口存储器的深度值，M为已确定的存储器读/写地址起始位相差的固定值，N和M关系需满足：

4.一种单端口存储器实现两端口存储器的装置...

【技术特征摘要】

1.一种单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，所述三个单端口存储器为三个相同的单端口存储器。

3.根据权利要求1所述的单端口存储器实现两端口存储器的方法，其特征在于，在所述三个单端口存储器中，第一单端口存储器地址区间为0～n-1，第二单端口存储器地址区间为n～2*n-1，第三单端口存储器地址区间为2*n～3*n-1；其中，n为单端口存储器的深度值，m为已确定的存储器读/写地址起始位相差的固定值，n和m关系需满足：

4.一种单端口存储器实现两端口存储器的装置，其特征在于，包括三个单端口存储器和多输入多输出的映射逻辑电路模块，所述映射逻辑电路模块包括写访问逻辑电路、读访问逻辑电路、输出控制电路以及三个存储器映射电路。

5.根据权利要求4所述的单端口存储器实现两端口存储器的装置，其特征在于，所述三个存储器映射电路为三个相同的存储器映射电路。

6.根据权利要求4所述的单端口存储器实现两端口存储器的装置，其特征在于，所述写访问逻辑电路输出的写地址信号值从地址0开始，在写端口输入的写使能信号有效时开始自加1功能，累加至单端口存储器能访问的地址允许...

【专利技术属性】
技术研发人员：王松明，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十研究所，
类型：发明
国别省市：