System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器中经改进的ECC配置制造技术_技高网

存储器中经改进的ECC配置制造技术

技术编号:41231303 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-09 23:47
本公开涉及一种用于操作存储器胞元阵列的方法,所述方法包括:将用户数据存储于所述阵列的多个存储器胞元中;将与所述用户数据相关联的奇偶校验数据存储于所述阵列的多个奇偶校验胞元中;及基于所述所存储奇偶校验数据,选择将根据其来执行错误校正码(ECC)操作的ECC校正能力及/或ECC粒度,其中通过以下步骤确定所述ECC校正能力及/或所述ECC粒度的所述选择:更新第一寄存器,所述第一寄存器包括指示待基于所述存储器胞元的当前状态应用于所述存储器胞元的所需ECC校正能力及/或所需ECC粒度的值,其中基于所述存储器胞元的所述当前状态的变化来更新所述第一寄存器的所述值,且其中所述第一寄存器的所述值的更新对应于待应用于所述存储器胞元的所述所需ECC校正能力及/或所需ECC粒度的变化;及基于所述第一寄存器的所述更新值,执行ECC切换命令,其中所述ECC切换命令致使改变先前所选择ECC校正能力及/或先前所选择ECC粒度,所述方法进一步包括:根据所述经改变ECC校正能力及/或ECC粒度更新第二寄存器,所述第二寄存器包括指示基于所述存储器胞元的所述当前状态应用于所述存储器胞元的所述所选择ECC校正能力及所述所选择ECC粒度的值。本文中还公开相关设备及系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开大体上涉及存储器胞元阵列的管理及操作,且更特定来说涉及用于改进存储器中的错误校正码(ecc)配置的方法、设备及系统。


技术介绍

1、存储器装置用于许多电子系统中,例如移动电话、个人数字助理、膝上型计算机、数码相机及类似者。各种类型的存储器用于存储器装置中,包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器在电力关断时留存其内容,使其成为存储器装置中用于存储将在系统重新激活之后检索的信息的良好选择。特定来说,非易失性存储器胞元可甚至在不存在外部电源的情况下维持其存储逻辑状态达延长时段。

2、在存储器装置中,通过编程其不同状态而存储信息。举例来说,二进制装置具有两个状态,其通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中,可存储多于两个状态。为存取所存储的信息,存储器装置的组件可读取或感测存储状态。为存储信息,存储器装置的组件可写入或编程逻辑状态。

3、改进存储器装置可包含增加存储器胞元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保留、减少制造成本、缩放到小于传统装置以及减少功率消耗。

4、归因于例如存取数目、制程质量、环境因素及类似者的各种因素,存储器胞元在其寿命周期期间具有不同物理及电特性。错误校正码(ecc)通常根据存储器装置的胞元的定义状态(例如,胞元的寿命终止可靠性)进行校准,且因此通常以其最高校正功率使用。因此,通常存在过度功率消耗。因此,可期望在存储器装置的整个寿命内改进功率消耗性能且在ecc管理中具有更好灵活性。


技术实现思路

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于操作存储器胞元阵列的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其包括将所述阵列的所述存储器胞元分组成多个部分,所述多个部分的每一部分基于其所述存储器胞元的所述状态而被独立地指派特定ECC校正能力及/或特定ECC粒度。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述多个部分的一部分对应于码字、存储体、存储体群组、所述阵列的区段、整个阵列、缓冲区、页面中的一者。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述相应部分的所述存储器胞元的所述状态,一个区段的所述值独立于其它区段的所述值更新。

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述所选择ECC校正能力及/或ECC粒度,一个区段的所述值独立于所述其它区段的所述值更新。

6.根据权利要求1所述的方法,其包括存储查找表,其中所述寄存器的每一可能值与相应ECC校正能力及ECC粒度相关联。

7.根据权利要求1所述的方法,其中不允许在所述ECC切换命令的所述执行期间对所述存储器胞元进行读取及/或写入操作。

8.根据权利要求1所述的方法,其中在所述ECC切换命令的所述执行期间允许对所述存储器胞元进行读取及/或写入操作,其中在所述ECC切换命令的所述执行期间,使用所述先前所选择ECC校正能力及/或ECC粒度。

9.根据权利要求1所述的方法,其包括:

10.根据权利要求1所述的方法,其中在最大数目与最小数目之间选择所使用奇偶校验胞元,且其中所述ECC校正能力及ECC粒度的所述变化对应于所使用奇偶校验胞元的所述数目的变化。

11.根据权利要求1所述的方法,其中基于用于对对所述存储器胞元的存取的数目或刷新事件的数目或通电事件的数目或其组合中的至少一者进行计数的第一计数器的值来选择所述ECC校正能力及/或所述ECC粒度,所述第一计数器的所述值指示所述存储器胞元的所述状态。

12.根据权利要求1所述的方法,其中基于经计数错误频率来选择所述ECC校正能力及/或所述ECC粒度。

13.根据权利要求1所述的方法,其包括以下步骤:

14.根据权利要求1所述的方法,其中所述ECC校正能力及/或所述ECC粒度由所述用户选择,或其中是基于耦合到所述存储器阵列的传感器的信号,或其中基于感测放大器裕度测量来选择。

15.一种设备,其包括:

16.根据权利要求15所述的设备,其中所述阵列被划分成多个部分,所述多个部分的每一部分基于其所述存储器胞元的所述状态而被独立地指派特定ECC校正能力及/或特定ECC粒度。

17.根据权利要求16所述的设备,其中所述多个部分的一部分对应于码字、存储体、存储体群组、所述阵列的区段、整个阵列、缓冲区、页面中的一者。

18.根据权利要求16所述的设备,其中所述第一寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述相应部分的所述存储器胞元的所述状态,一个区段的所述值独立于其它区段的所述值更新。

19.根据权利要求16所述的设备,其中所述第二寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述所选择ECC校正能力及/或ECC粒度,一个区段的所述值独立于所述其它区段的所述值更新。

20.根据权利要求18及19所述的设备,其中所述第一寄存器及所述第二寄存器的每一区段包括四个位。

21.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器经配置以:

22.根据权利要求15所述的设备,其包括:

23.根据权利要求15所述的设备,其包括:

24.根据权利要求16所述的设备,其中不同计数器与所述阵列的不同相应部分相关联,每一计数器代表所述相应部分的相应积累值,所述控制器经配置以基于所述相应部分的所述相应积累值与阈值的比较来选择性地将所述所选择ECC校正能力及/或ECC粒度变化应用于一或多个部分上。

25.一种受管理存储器系统,其包括:

26.根据权利要求25所述的受管理存储器系统,其中所述所存储奇偶校验数据对应于多个可选择ECC校正能力及ECC粒度,且其中通过执行所述切换命令,所述控制器倾向于通过应用所述所选择ECC校正能力及/或ECC粒度而重新配置所述存储器区段的至少一个部分。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于操作存储器胞元阵列的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其包括将所述阵列的所述存储器胞元分组成多个部分,所述多个部分的每一部分基于其所述存储器胞元的所述状态而被独立地指派特定ecc校正能力及/或特定ecc粒度。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述多个部分的一部分对应于码字、存储体、存储体群组、所述阵列的区段、整个阵列、缓冲区、页面中的一者。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述相应部分的所述存储器胞元的所述状态,一个区段的所述值独立于其它区段的所述值更新。

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二寄存器包括多个区段,所述区段中的每一者含有所述阵列的相应部分的信息,根据所述所选择ecc校正能力及/或ecc粒度,一个区段的所述值独立于所述其它区段的所述值更新。

6.根据权利要求1所述的方法,其包括存储查找表,其中所述寄存器的每一可能值与相应ecc校正能力及ecc粒度相关联。

7.根据权利要求1所述的方法,其中不允许在所述ecc切换命令的所述执行期间对所述存储器胞元进行读取及/或写入操作。

8.根据权利要求1所述的方法,其中在所述ecc切换命令的所述执行期间允许对所述存储器胞元进行读取及/或写入操作,其中在所述ecc切换命令的所述执行期间,使用所述先前所选择ecc校正能力及/或ecc粒度。

9.根据权利要求1所述的方法,其包括:

10.根据权利要求1所述的方法,其中在最大数目与最小数目之间选择所使用奇偶校验胞元,且其中所述ecc校正能力及ecc粒度的所述变化对应于所使用奇偶校验胞元的所述数目的变化。

11.根据权利要求1所述的方法,其中基于用于对对所述存储器胞元的存取的数目或刷新事件的数目或通电事件的数目或其组合中的至少一者进行计数的第一计数器的值来选择所述ecc校正能力及/或所述ecc粒度,所述第一计数器的所述值指示所述存储器胞元的所述状态。

12.根据权利要求1所述的方法,其中基于经计数错误频率来选择所述ecc校正能力及/或所述ecc粒度。

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【专利技术属性】
技术研发人员:G·米里希尼C·V·A·劳伦特R·穆泽托
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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