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闪存装置及其编程方法制造方法及图纸
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文档序号:41245166
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本发明提供一种闪存装置及其编程方法。闪存装置包括存储器阵列、第一共同位线以及感测放大装置。存储器阵列包括具有多个第一存储单元的第一存储器区块。在漏电流检测操作中,感测放大装置检测第一存储单元在第一共同位线上产生的漏电流,以获得漏电流仿真信息...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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