【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是关于一种非易失性存储器结构及其形成方法，且特别是有关于快闪存储器结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着快闪存储器的工艺持续微缩，许多挑战随之而生。例如，在多次的图案转移工艺后，存储器结构中长条柱状的多个主动堆叠与一堆叠块体之间的连接处可能有面积过窄、甚至完全断开的问题，使得后续在此堆叠块体上所设置的接触件不能稳定的甚至无法电连接至所述多个主动堆叠的栅极。因此，业界仍需要改进非易失性存储器结构的制造方法，以克服器件尺寸缩小所产生的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种非易失性存储器结构，包括一衬底以及形成于衬底上方的一栅极堆叠层。栅极堆叠层包括一主动图案以及一扶轨块体(rail block)。主动图案包括多个第一主动堆叠和多个第二主动堆叠，所述多个第一主动堆叠和所述多个第二主动堆叠分别在第一方向上相距设置，且分别沿第二方向延伸，第二方向不同于第一方向。扶轨块体沿第一方向延伸，且扶轨块体具有相对的第一侧与第二侧，第一主动堆叠连接第一侧，第二主动堆叠连接第二侧，第一侧包括...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该扶轨块体的该第二侧包括多个第二突出部，且所述多个第二突出部在该第一方向上相距设置。
3.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部与所述多个第二突出部在该第二方向上相对应的设置。
4.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部在该第二方向上的第一中心线与所述多个第二突出部在该第二方向上的第二中心线相互重合。
5.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该扶轨块体的该第二侧包括多个第二突出部，且所述多个第二突出部在该第一方向上相距设置。
3.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部与所述多个第二突出部在该第二方向上相对应的设置。
4.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部在该第二方向上的第一中心线与所述多个第二突出部在该第二方向上的第二中心线相互重合。
5.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部与所述多个第二突出部在该第二方向上偏移设置，其中所述多个第一突出部在该第二方向上的第一中心线与所述多个第二突出部在该第二方向上的第二中心线相互错开。
6.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该扶轨块体的第一侧还包括多个第一基部，且所述多个第一基部与所述多个第一突出部是交替的设置，该扶轨块体的第二侧还包括多个第二基部，且所述多个第二基部与所述多个第二突出部是交替的设置。
7.如权利要求6所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一基部对应于所述多个第二基部，所述多个第一突出部对应于所述多个第二突出部。
8.如权利要求6所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述多个第一突出部对应于所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄子芸，陈俊旭，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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