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本发明提供了一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的顶栅保护电极。依照本...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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