薄膜晶体管、显示器件及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，涉及显示技术领域，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层及源极和漏极，所述源极和所述漏极位于不同层并通过氧化物半导体材质的半导体连接部隔离，所述半导体连接部的位置与所述栅极的位置相对应，在对应于所述半导体连接部的位置处，所述源极的位置和所述漏极的位置至少有一部分重叠。本发明专利技术还公开了一种包括上述薄膜晶体管的显示器件及其制备方法，及包括所述显示器件的显示装置。本发明专利技术通过将源极和漏极位于不同的层，使得在制备过程中刻蚀源漏金属时不再需要额外的绝缘层来保护氧化物半导体层被刻蚀液损坏。由于不需要制备额外的绝缘层，从而简化了层次结构节省了工艺流程和成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管、显示器件及其制造方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)制造工艺中阵列基板(ARRAY)工艺的源漏金属电极位于同一个层面，一般工艺中均为平面结构。源漏金属电极下面安排具有沟道(CHANNEL)作用的非晶硅，有源层的非晶硅材料与源漏金属电极直接接触时会增加阻抗使TFT无法正常运作，因此在非晶硅与源漏金属电极之间增加了含有磷(P)成分的硅层。氧化物半导体的电子移动度比原先的非晶硅快10倍以上，氧化物半导体在作为 有源层时不但具有沟道的作用，而且直接接触金属排线也不会增加阻抗，因此不需要含有磷(P)成分的硅层，但是由于氧化物半导体本身对化学药品的不稳定性，若采用上述传统的薄膜晶体管(TFT)结构，在制备过程中氧化物半导体的刻蚀速度比源漏金属电极的刻蚀速度快。为了避免在刻蚀源漏金属电极时把氧化物半导体层也一起刻掉的情况，在氧化物半导体上面增加可抵挡刻蚀的绝缘层。可见传统的TFT在源漏电极和有源层之间总会有一层绝缘层存在，从而增加了 TFT层次结构的复杂性，并且增加了制作工艺和制作成本。专利技术内容(一)要解决的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层及源极和漏极，其特征在于，所述源极和所述漏极位于不同层并通过氧化物半导体材质的半导体连接部隔离，所述半导体连接部的位置与所述栅极的位置相对应，在对应于所述半导体连接部的位置处，所述源极的位置和所述漏极的位置至少有一部分重叠。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李正勋，车莲花，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：