一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管驱动电压的稳定性以及寿命。本发明专利技术提供的薄膜晶体管的制作方法包括：形成包括栅极、有源层和源漏极层的图形，以及形成包括栅极绝缘层和刻蚀阻挡层的图形；其中，所述栅极绝缘层位于所述栅极和有源层之间，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和源漏极层之间，所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管工艺制作领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、 阵列基板和显示装置。
技术介绍
在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管 (Thin Film Transistor, TFT)被大量使用。在TFT的有源层一直使用稳定性和加工性较好的非晶硅(a-Si)材料，但是a-Si材料的载流子迁移率较低，不能满足大尺寸、高分辨率显示器件的要求，特别是不能满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件(Active Matrix Organic Light Emitting Device, AMOLED)的要求。铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-Oxide, IGZ0)薄膜晶体管(即IGZ0-TFT)，由于其有源层 (IGZO)具有较高的载流子迁移率，以及较高的热学性能、化学稳定性，成为人们的研究热点。制备高性能、高稳定性的IGZO薄膜晶体管成为各厂商研究的重点和难点。制约IGZO薄膜晶体管高性能和高稳定性的因素很多，其中，IGZO-TFT的各绝缘层，例如栅极绝缘层、刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer,ESL)和钝化层(Passivation,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包括：形成包括栅极、有源层和源漏极层的图形，以及形成包括栅极绝缘层和刻蚀阻挡层的图形；所述栅极绝缘层位于所述栅极和有源层之间，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和源漏极层之间，其特征在于，所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离所述有源层最近的一层在150℃?200℃的温度条件下制作而成，其余的绝缘层在300℃?400℃的温度条件下制作而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫梁臣，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：